[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110101498.0 | 申請日： | 2021-01-26 |
| 公開（公告）號： | CN113394194A | 公開（公告）日： | 2021-09-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃麟淯;游力蓁;張家豪;莊正吉;程冠倫;王志豪 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 元件 結(jié)構(gòu) | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
一元件；
設(shè)置在該元件之上的一第一介電材料，其中在該第一介電材料中形成一開口；
設(shè)置在該開口中的一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包含一第一側(cè)壁；及
設(shè)置在該開口中的一圍繞結(jié)構(gòu)，其中該圍繞結(jié)構(gòu)圍繞該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的該第一側(cè)壁，且該圍繞結(jié)構(gòu)包括：
一第一間隔層；及
與該第一間隔層相鄰的一第二間隔層，其中該第一間隔層與該第二間隔層是通過一氣隙所隔開。
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