[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管及制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110099421.4 | 申請(qǐng)日： | 2021-01-25 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112768576B | 公開（公告）日： | 2022-04-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 葉大千;丘建生;連偉杰;陳秉揚(yáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 天津三安光電有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/04 | 分類號(hào)： | H01L33/04;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京漢之知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高園園 |
| 地址： | 300384 天津*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 發(fā)光二極管 制備 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，包括：
襯底，具有相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面；
N型半導(dǎo)體層，位于所述襯底的所述第一表面上；
中間層，位于所述N型半導(dǎo)體層的上方；且所述中間層包括至少兩個(gè)子中間層、以及設(shè)置在相鄰兩個(gè)所述子中間層之間的摻雜層；所述中間層的材料為AlxGa1-x-yInyN，其中：0≤x≤1，0≤y≤1；所述子中間層的雜質(zhì)摻雜濃度小于或等于所述摻雜層的雜質(zhì)摻雜濃度；
有源層，位于所述中間層的上方；
P型半導(dǎo)體層，位于所述有源層的上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，相鄰所述子中間層的材料的x和/或y的取值不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述中間層還包括：設(shè)置于所述子中間層與所述有源層之間的所述摻雜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，靠近所述有源層一側(cè)的所述子中間層為超晶格層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述摻雜層的雜質(zhì)摻雜濃度與所述子中間層的雜質(zhì)摻雜濃度的濃度差大于或等于1E17atoms/cm3。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述摻雜層的雜質(zhì)摻雜濃度與所述有源層的雜質(zhì)摻雜濃度的濃度差大于或等于1E17atoms/cm3。
7.一種發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括：
提供一襯底，該襯底具備相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面；
在所述襯底的第一表面上形成N型半導(dǎo)體層；
在所述N型半導(dǎo)體層的上方形成中間層，所述中間層包括至少兩個(gè)子中間層、以及形成于相鄰兩個(gè)所述子中間層的摻雜層；所述中間層的材料為AlxGa1-x-yInyN，其中：0≤x≤1，0≤y≤1；所述子中間層的雜質(zhì)摻雜濃度小于或等于所述摻雜層的雜質(zhì)摻雜濃度；
在所述中間層的上方制備有源層；
在所述有源層的上方制備P型半導(dǎo)體層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，在所述N型半導(dǎo)體層的上方形成中間層，所述中間層包括至少兩個(gè)子中間層、以及形成于相鄰兩個(gè)子中間層的摻雜層，包括：
在所述N型半導(dǎo)體層的上方形成第一子中間層；
在所述第一子中間層的上方形成第一摻雜層；
在所述第一摻雜層的上方形成第二子中間層；
在所述第二子中間層的上方形成第二摻雜層；
繼續(xù)按照上述順序依次循環(huán)生長……直至在第n-1摻雜層的上方形成第n子中間層(n≥2)；
其中，相鄰子中間層中的x和/或y的取值不同，以使形成的相鄰的兩個(gè)子中間層具有不同的材料組成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，在所述N型半導(dǎo)體層的上方形成中間層，所述中間層包括至少兩個(gè)子中間層、以及形成于相鄰兩個(gè)子中間層的摻雜層，還包括：
在所述N型半導(dǎo)體層的上方形成第一子中間層；
在所述第一子中間層的上方形成第一摻雜層；
在所述第一摻雜層之上繼續(xù)形成第二子中間層；
在所述第二子中間層之上形成第二摻雜層；
繼續(xù)按照上述順序依次循環(huán)生長……直至在第n-1摻雜層的上方形成第n子中間層(n≥2)；
其中，相鄰子中間層的生長條件不同；所述生長條件包括生長溫度、生長速度、生長壓力或生長氣氛中的至少一個(gè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，在第n-1摻雜層的上方形成第n子中間層之后，還包括：
在所述第n子中間層之上形成第n摻雜層；
在所述第n摻雜層之上形成所述有源層。
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