[發明專利]一種WO3

有效

• 申請號: 202110098446.2
• 申請日: 2021-01-25
• 公開（公告）號: CN112903767B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發明（設計）人: 袁金云;陳俊利;張永輝;吳恒
• 申請（專利權）人: 鄭州輕工業大學
• 主分類號: G01N27/26
• 分類號: G01N27/26;G01N27/327
• 代理公司: 上海天翔知識產權代理有限公司 31224
• 代理人: 高迷想

1.一種PCB52分子印跡光電化學傳感器，其特征在于，所述傳感器包括表面具有WO₃層的鎢片基體和通過水熱合成技術沉積在所述基體表面的紫外-可見光驅動的WO₃材料層，所述WO₃材料層具有PCB52分子印跡位點。

2.權利要求1所述的PCB52分子印跡光電化學傳感器的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

(1)將鎢片在300～600℃煅燒20～50分鐘，使其表面形成WO₃層，得到表面具有WO₃層的鎢片基體；

(2)將Na₂WO₄水溶液與聚乙二醇混合后加入含有PCB52分子的乙醇溶液，用無機酸調節混合溶液的pH至2.0；

(3)將步驟(1)制得的表面形成有WO₃層的鎢片基體放入步驟(2)中的混合溶液中，在150～210℃反應4～8小時，使得上述基體表面形成PCB52/WO₃復合材料層；

(4)將步驟(3)得到的表面形成有PCB52/WO₃復合材料層的基體在450～700℃煅燒2～4小時，使得基體表面形成具有PCB52分子印跡位點的WO₃材料層，即可得到PCB52分子印跡光電化學傳感器。

3.根據權利要求2所述的PCB52分子印跡光電化學傳感器的制備方法，其特征在于，所述聚乙二醇選自聚乙二醇200。

4.根據權利要求2所述的PCB52分子印跡光電化學傳感器的制備方法，其特征在于，步驟(2)中按重量計，Na₂WO₄：PCB52為300000～900000：1，Na₂WO₄：聚乙二醇為1：10～100。

5.根據權利要求2所述的PCB52分子印跡光電化學傳感器的制備方法，其特征在于，步驟(3)中，表面形成有WO₃層的鎢片與所述混合溶液的反應溫度為180℃，時間為4～8小時。

6.根據權利要求2所述的PCB52分子印跡光電化學傳感器的制備方法，其特征在于，步驟(4)中，所述鎢片的煅燒的溫度為500～700℃，時間為2～4小時。

7.權利要求1所述的PCB52分子印跡光電化學傳感器或權利要求2至5任一項所述的制備方法制備的PCB52分子印跡光電化學傳感器在檢測介質中PCB52分子的用途。

8.根據權利要求7所述的用途，其特征在于，利用所述PCB52分子印跡光電化學傳感器檢測介質中PCB52分子的方法包括下述步驟：

(1)繪制標準曲線：利用Na₂SO₄水溶液配置一系列濃度的PCB52的標準溶液，以所述PCB52分子印跡光電化學傳感器作為工作電極，以鉑片作為對電極，Ag/AgCl作為參比電極，以紫外-可見光源為激發光源，在CHI660e電化學工作站上利用i-t技術，加0.6V的偏壓，按照濃度從低到高的順序依次檢測PCB52的標準溶液，得到不同的光電流密度，最后以所述光電流密度與PCB52的濃度創建線性關系，繪制標準曲線；

(2)測定PCB52的含量：將含有PCB52的待測介質樣品加入到Na₂SO₄水溶液中，得到含有PCB52的溶液，在步驟(1)的測試條件下測試該溶液的光電流密度，利用所述標準曲線得到Na₂SO₄溶液中PCB52的濃度，即求得所述介質中PCB52的濃度。

9.根據權利要求8所述的用途，其特征在于，步驟(2)中，當所述介質樣品中含有沉淀物時，先用砂芯漏斗抽濾3～5次，然后加入到Na₂SO₄水溶液中。

10.根據權利要求8所述的用途，其特征在于，步驟(1)和步驟(2)中，用于配置PCB52溶液的Na₂SO₄水溶液的濃度為0.1mol·L^-1。