[發明專利]用于聲表面波濾波器中磁控濺射的剝離方法

有效

• 申請號: 202110095416.6
• 申請日: 2021-01-25
• 公開（公告）號: CN112951755B
• 公開（公告）日: 2023-06-13
• 發明（設計）人: 袁燕;孟騰飛;徐浩;倪燁;張倩;王君;吳兵;張玉濤;閆彬
• 申請（專利權）人: 北京航天微電科技有限公司
• 主分類號: H03H9/64
• 分類號: H03H9/64;C23C14/14;C23C14/35;G03F7/16;G03F7/30
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 厲洋洋

本發明公開了用于聲表面波濾波器中磁控濺射的剝離方法，涉及微電子領域。該方法包括：通過旋涂光刻膠前，先旋涂聚酰胺酸，進行烘烤得到0.5μm厚的聚酰胺酸。然后在固化后的聚酰胺酸薄膜上旋涂正性光刻膠，再進行接觸式曝光，顯影，通過顯微鏡可以明顯看到，位于光刻膠下層的聚酰胺酸被顯影液顯掉的更多，導致形成倒T形。沉積0.2μm厚的金屬薄膜Al后，使用N?甲基吡咯烷酮剝離液進行剝離，避免因為剝離導致金屬薄膜被損傷，可以使金屬膜厚的均勻性更好，膜厚更可控，剝離完成后金屬線條邊緣特別整齊光滑。

技術領域

本發明涉及微電子領域，尤其涉及用于聲表面波濾波器中磁控濺射的剝離方法。

背景技術

目前用于磁控濺射的剝離方法中，浸泡過丙酮后將其放入四甲基氫氧化氨水溶液中,浸泡的時間取決于所沉積金屬薄膜的厚度。這兩種方法都涉及到顯影液的使用，由于光刻膠的顯影液大部分都是堿性溶液，采用上述方法會對金屬薄膜造成不同程度的損傷。

現有光刻膠方案，耐溫性不好，在磁控濺射鍍膜造成光刻膠的碳化，難以剝離，剝離完金屬線條邊緣不整齊，不干凈。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術的不足，提供用于聲表面波濾波器中磁控濺射的剝離方法。

本發明解決上述技術問題的技術方案如下：

一種用于聲表面波濾波器中磁控濺射的剝離方法，包括：S1，在基片上旋涂聚酰胺酸形成聚酰胺酸薄膜；其中旋涂轉速為：3000-5000轉，所述聚酰胺酸的濃度為：6％-10％；

S2，對所述聚酰胺酸薄膜進行烘烤，烘烤溫度為第一預設溫度，烘烤時間為第一預設時間，然后冷卻，形成固化的預設厚度的所述聚酰胺酸薄膜；其中第一預設溫度為：60-150℃，所述第一預設時間為時間：15-60min，所述預設厚度為：0.5-2μm；

S3，在固化后的所述聚酰胺酸薄膜上旋涂光刻膠；其中，所述光刻膠為I線光刻膠，旋涂轉速為3000-5000轉；

S4，根據所述光刻膠的前烘工藝對所述聚酰胺酸薄膜和所述光刻膠的組合物進行烘烤，烘烤結束再進行曝光；所述前烘工藝包括：烘烤溫度為：90℃-120℃，烘烤時間：1min-3min；所述曝光時間為2-10s；

S5，對曝光后的所述組合物進行顯影處理；其中，所述顯影處理時間：3-10s；

S6，通過磁控濺射對顯影處理后的所述組合物進行金屬薄膜沉積；其中所述金屬薄膜的沉積厚度不超過4μm；

S7，完成金屬薄膜沉積后使用N-甲基吡咯烷酮剝離液進行剝離，然后對剝離后的所述組合物再通過剝離機進行剝離，剝離后獲得聲表面波濾波器。

本發明的有益效果是：本方案通過旋涂光刻膠前，先旋涂聚酰胺酸，進行烘烤得到0.5μm厚的聚酰胺酸。然后在固化后的聚酰胺酸薄膜上旋涂正性光刻膠，再進行接觸式曝光，顯影，通過顯微鏡可以明顯看到，位于光刻膠下層的聚酰胺酸被顯影液顯掉的更多，導致形成倒T形。沉積0.2μm厚的金屬薄膜Al后，使用N-甲基吡咯烷酮剝離液進行剝離，避免因為剝離導致金屬薄膜被損傷，可以使金屬膜厚的均勻性更好，膜厚更可控，剝離完成后金屬線條邊緣特別整齊光滑。

通過聚酰亞胺很好的耐溫性特點，避免磁控濺射鍍膜造成光刻膠的炭化，難以剝離的問題

在采用聚酰胺酸實現雙層光刻膠剝離工藝時，在最后一步，進行光刻膠和聚酰胺酸去除時，使用剝離液NMP代替現有的丙酮和堿性顯影液，這樣可以避免因為剝離導致金屬薄膜被損傷，可以使金屬膜厚的均勻性更好，膜厚更可控，即SAWF的頻率更準確，成品率更高。

聲表面波濾波器金屬沉積的方式采用濺射工藝可以提高金屬層和襯底的粘附力，且濺射工藝提高了金屬薄膜的致密性，有助于聲表面波濾波器器件性能的提升。