[發明專利]半導體封裝結構和半導體襯底

在審

• 申請號: 202110095296.X
• 申請日: 2021-01-25
• 公開（公告）號: CN113345850A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 丁兆明;周仁宏;林宜弘
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/58;H01L21/78
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導體封裝結構，其包括：

襯底，其包含第一接地層，所述第一接地層具有主體和從所述主體的側面凸出的第一齒，所述第一齒具有第一側面，并且在所述第一接地層的俯視圖中，所述第一齒的所述第一側面相對于所述主體的所述側面傾斜。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其中所述第一齒具有與所述第一側面相對的第二側面，并且所述第一齒的所述第二側面相對于所述主體的所述側面傾斜。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其中所述第一齒具有電連接到屏蔽層的前側。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其中所述第一接地層具有第二齒，并且所述第二齒具有第一側面和第二側面，所述第一側面和所述第二側面中的至少一個垂直于所述主體的所述側面。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其中所述第一接地層具有第二齒，并且所述第二齒的輪廓與所述第一齒的輪廓不同。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其中所述襯底包含多個子單元、多個第一接地層和多個切割道，其中每個子單元包含一個所述第一接地層，所述子單元中的第一子單元與所述子單元的第二子單元相鄰，所述切割道之一位于所述第一子單元與所述第二子單元之間，并與所述第一子單元的所述第一齒和所述第二子單元重疊。

7.根據權利要求2所述的半導體封裝結構，其中在所述第一接地層的俯視圖中，所述第一齒包含從所述第一側面延伸到所述第二側面的前側，其中所述前側從所述襯底的側面暴露。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其進一步包括：

第二接地層，其安置在所述襯底中，且位于所述第一接地層之上，所述第二接地層具有第二主體和從所述第二主體的側面凸出的第三齒。

9.根據權利要求8所述的半導體封裝結構，其中所述第一接地層的所述第一齒的輪廓與所述第二接地層的所述第三齒的輪廓不同。

10.根據權利要求8所述的半導體封裝結構，其中所述第一接地層的所述第一齒與所述第二接地層的所述第三齒交錯。

11.根據權利要求8所述的半導體封裝結構，其中所述第一接地層的所述第一齒與所述第二接地層的所述第三齒對齊。

12.根據權利要求8所述的半導體封裝結構，其中所述第三齒具有第一側面，并且所述第三齒的所述第一側面相對于所述第二主體的所述側面傾斜。

13.根據權利要求8所述的半導體封裝結構，其中所述第三齒具有第一側面，并且所述第三齒的所述第一側面垂直于所述第二主體的所述側面。

14.根據權利要求8所述的半導體封裝結構，其中所述第一齒具有電連接到屏蔽層的前側，所述第三齒具有電連接到所述屏蔽層的前側，并且所述第一齒的所述前側與所述第三齒的所述前側對齊。

15.根據權利要求8所述的半導體封裝結構，其中所述第一齒具有電連接到屏蔽層的前側，所述第二齒具有電連接到所述屏蔽層的前側，并且所述第一齒的所述前側與所述第三齒的所述前側交錯。

16.一種半導體襯底，其包括：

襯底，其包含可通過切割道與第二子單元分離的第一子單元，所述第一子單元包括接地層，所述接地層包括：

主體；以及

第一齒，其從所述主體的側面凸出并且具有位于所述切割道中的第一前側；以及

第二齒，其從所述主體的所述側面凸出并且具有位于所述切割道中的第二前側，所述第二前側比所述第一前側位在所述切割道的更深處。