[發(fā)明專利]用于光電化學(xué)陰極保護(hù)的納米草叢復(fù)合光電材料及制備和應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110095271.X
• 申請日: 2021-01-25
• 公開（公告）號: CN112921324B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳卓元;姜旭宏;孫萌萌;鹿桂英;荊江平
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院海洋研究所
• 主分類號: C23F13/14
• 分類號: C23F13/14
• 代理公司: 沈陽科苑專利商標(biāo)代理有限公司 21002
• 代理人: 李穎

1.一種用于光電化學(xué)陰極保護(hù)的ZnIn₂S₄/TiO₂納米草叢復(fù)合光電材料，其特征在于：復(fù)合光電材料為于超細(xì)高度支化TiO₂納米草叢基底上復(fù)合納米花球狀的六方ZnIn₂S₄構(gòu)建成異質(zhì)結(jié)體系復(fù)合光電材料；

所述超細(xì)高度支化TiO₂納米草叢基底為通過調(diào)控初始反應(yīng)物濃度利用一步水熱法在導(dǎo)電玻璃基材上直接生長TiO₂光電材料；

所述復(fù)合為通過二次水熱將納米花球狀的六方ZnIn₂S₄原位生長在超細(xì)高度支化TiO₂納米草叢基底上；

所述超細(xì)高度支化TiO₂納米草叢基底為將干凈的FTO導(dǎo)電玻璃置于高壓反應(yīng)釜中，加入溶液a在170-190℃下水熱合成6-12小時，直接生長超細(xì)高度支化TiO₂納米草叢基底；其中，溶液a 為草酸鈦鉀粉末溶于去離子水H₂O和一縮二乙二醇DEG的溶液，且 H₂O和DEG的體積比為（0.9-1.10）：(2.7-3.3)，溶液a中草酸鈦鉀粉末的終濃度為1.98-2.02mM；

所述二次水熱為將超細(xì)高度支化TiO₂納米草叢基底置于高壓反應(yīng)釜中，加入溶液b在180-220℃下水熱合成9-15小時，使納米花球狀的六方ZnIn₂S₄原位生長在超細(xì)高度支化TiO₂納米草叢基底上，并且兩者界面充分接觸；其中，溶液b為ZnCl₂、InCl₃和TAA溶于去離子水的溶液，且 ZnCl₂、InCl₃和TAA的物質(zhì)的量比為(0.9-1.1)：(1.8-2.2)：(3.6-4.4)；溶液b中ZnCl₂的終濃度為30-40 mM。

2.一種權(quán)利要求1所述的用于光電化學(xué)陰極保護(hù)的ZnIn₂S₄/TiO₂納米草叢復(fù)合光電材料的制備方法，其特征在于：通過一步水熱法在導(dǎo)電玻璃基材上直接生長超細(xì)高度支化TiO₂納米草叢基底，再通過二次水熱將納米花球狀的六方ZnIn₂S₄原位生長在超細(xì)高度支化TiO₂納米草叢基底上，兩者充分接觸形成ZnIn₂S₄/TiO₂納米草叢異質(zhì)結(jié)復(fù)合光電材料。