[發明專利]漏印模板、錫膏印刷裝置、電子元器件封裝設備及工藝

在審

• 申請號: 202110094133.X
• 申請日: 2021-01-25
• 公開（公告）號: CN112804829A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 張平;楊發明
• 申請（專利權）人: 蘇州匯川聯合動力系統有限公司
• 主分類號: H05K3/12
• 分類號: H05K3/12;H05K3/34;B41F15/36
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217
• 代理人: 陸軍

本發明提供了一種漏印模板、錫膏印刷裝置、電子元器件封裝設備及工藝，所述漏印模板用于漏印錫膏到電路板，所述電路板的表面具有絕緣涂層、若干第一焊盤和至少一個第二焊盤，且所述第二焊盤的面積大于所述預設面積；所述漏印模板包括：若干第一開孔，分別與所述電路板的若干第一焊盤的位置、形狀和尺寸相適配；第二開孔，包括相連的第一漏印部和第二漏印部，且在所述漏印模板以第一開孔分別與第一焊盤相對的方式覆蓋所述電路板表面時，所述第一漏印部與所述第二焊盤的一部分相對，所述第二漏印部與所述第二焊盤外的絕緣涂層相對。通過在漏印錫膏時使漏印模板上的開孔與電路板上超過預設面積的焊盤部分相錯，可有效控制焊接部分氣泡的產生。

技術領域

本發明實施例涉及電子設備制造領域，更具體地說，涉及一種漏印模板、錫膏印刷裝置、電子元器件封裝設備及工藝。

背景技術

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導體場效應晶體管)驅動器是一種高頻電壓柵極驅動器，其在PCBA(Printed CircuitBoard Assembly，印刷電路板組件)行業應用范圍很廣。

隨著電子元器件的高速發展，元器件的集成化、貼片化逐步取代了以前的大型插件化。由于自身需求的散熱非常高，在使用貼片工藝封裝MOSFET器件時，對焊接的氣泡率要求非常嚴苛。一些高功率輸出的MOSFET器件往往因為焊接后有氣泡，使得散熱無法滿足要求，并導致其使用受到局限，不能廣泛的應用于各個行業的產品中。

現有技術中，針對MOSFET器件的焊接存在氣泡的問題，在將MOSFET器件封裝到電路板時，都是參考供應商推薦的電路板封裝方案，并通過更改鋼網開孔來盡量減少產生的氣泡。然而，上述方案中，電路板上用于焊接MOSFET 器件的焊盤統一參考供應商推薦的標準，相對于其他零件的位置布局沒有要求；同時，該方案沒有從氣泡產生的根本原因去消除焊接后氣泡。從而導致上述封裝方案的工藝穩定性不高，無法保證氣泡面積不超過焊盤面積的30％的IPC可接受標準。

此外，還可通過在電路板打透氣孔或者將焊盤分成類似九宮格，來排除焊接過程中由于助焊劑揮發產生的氣泡問題。但該方案適應范圍相對較小，例如當電路板采用鋁基板時不能打孔；對于散熱要求較高的元器件打孔后無法達到散熱要求；國際客戶針對九宮格的焊盤設計不認可；某些場合下不符合安規要求；某些場合下不滿足電氣性能要求等。

發明內容

本發明實施例針對上述MOSFET器件在采用供應商推薦的電路板封裝方案焊接時無法穩定消除氣泡、以及打透氣孔或九宮格方案使用范圍較小的問題，提供一種漏印模板、錫膏印刷裝置、電子元器件封裝設備及工藝。

本發明實施例解決上述技術問題的技術方案是，提供一種漏印模板，用于漏印錫膏到電路板，所述電路板的表面具有絕緣涂層、若干第一焊盤和至少一個第二焊盤，且所述第一焊盤的面積小于或等于預設面積，所述第二焊盤的面積大于所述預設面積；所述漏印模板包括：

若干第一開孔，分別與所述電路板的若干第一焊盤的位置、形狀和尺寸相適配；

第二開孔，包括相連的第一漏印部和第二漏印部，且在所述漏印模板以若干所述第一開孔分別與所述電路板的若干第一焊盤相對的方式覆蓋所述電路板表面時，所述第一漏印部與所述第二焊盤的一部分相對，所述第二漏印部與所述第二焊盤外的絕緣涂層相對。

在某些實施例中，所述電路板的表面包括用于焊接貼片式晶體管的預設焊接區，且所述預設焊接區包括：分別用于焊接所述貼片式晶體管的若個引腳的若干所述第一焊盤、用于焊接所述貼片式晶體管的散熱面的所述第二焊盤；

所述漏印模板包括與所述預設焊接區對應的預設漏印區，且所述預設漏印區包括分別與所述預設焊接區的若干第一焊盤對應的若干所述第一開孔，以及與所述預設焊接區的第二焊盤對應的所述第二開孔。

在某些實施例中，在所述預設焊接區內，若干所述第一焊盤均位于所述第二焊盤的同一側；