[發(fā)明專利]一種下降法晶體生長坩堝

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202110093346.0
• 申請日: 2021-01-25
• 公開（公告）號: CN112663133A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設計）人: 李留臣;周正星;徐建明
• 申請（專利權）人: 延安星特亮科創(chuàng)有限公司
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 劉鑫

本發(fā)明公開了一種下降法晶體生長坩堝，包括坩堝本體、坩堝蓋體、開設于坩堝蓋體中的通孔、可升降的穿設于通孔中的升降組件；升降組件包括升降軸、連接在升降軸頂端的擋板、連接在升降軸底端的且用于阻止升降軸向上脫離通孔的阻擋件；擋板和阻擋件分別位于坩堝蓋體的上下兩側；坩堝還包括開設于坩堝蓋體中的且上端位于擋板下方的排氣孔；升降組件處于上升位置時，擋板與排氣孔沿上下方向間隔排列，坩堝內部通過排氣孔與坩堝外部連通；升降組件處于下降位置時，擋板蓋設于排氣孔上。本發(fā)明一種下降法晶體生長坩堝，既能降低對坩堝抽真空的難度，又能防止晶體生長時原料中的元素向外揮發(fā)，從而保證了晶體的生長質量。

技術領域

本發(fā)明涉及人工晶體生長技術領域，特別涉及一種下降法晶體生長坩堝。

背景技術

下降法晶體生長技術是人工晶體生長的主要方法之一。晶體生長前，首先需要對坩堝內抽真空；晶體生長過程中，還需要保證坩堝內相對密閉，避免原料中的元素揮發(fā)耗散，以保證生長晶體的成分需求。

現(xiàn)有技術中，是將坩堝蓋安裝在坩堝上，然后整體放入單晶爐中進行抽真空、加熱熔化、以及晶體生長的。坩堝蓋蓋緊后，生長前對坩堝內抽真空較為困難；而坩堝蓋不蓋緊，晶體加熱時，又會導致原料中的元素揮發(fā)耗散，影響生長晶體的性能。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的是提供一種下降法晶體生長坩堝，既能降低對坩堝抽真空的難度，又能防止晶體生長時原料中的元素向外揮發(fā)，從而保證了晶體的生長質量。

為達到上述目的，本發(fā)明采用的技術方案是：

一種下降法晶體生長坩堝，包括坩堝本體、蓋設于所述坩堝本體頂部的坩堝蓋體、開設于所述坩堝蓋體中的通孔、可升降的穿設于所述通孔中的升降組件；

所述升降組件包括可升降的穿設于所述通孔中的升降軸、連接在所述升降軸頂端的擋板、連接在所述升降軸底端的且用于阻止所述升降軸向上脫離所述通孔的阻擋件；所述擋板和所述阻擋件分別位于所述坩堝蓋體的上下兩側；

所述坩堝還包括開設于所述坩堝蓋體中的且上端位于所述擋板下方的排氣孔；

所述升降組件具有上升位置和下降位置：所述升降組件處于所述上升位置時，所述擋板與所述排氣孔沿上下方向間隔排列，所述坩堝內部通過所述排氣孔與所述坩堝外部連通；所述升降組件處于所述下降位置時，所述擋板蓋設于所述排氣孔上。

優(yōu)選地，所述升降組件，用于在從所述坩堝外側對所述坩堝抽真空時上升至所述上升位置；還用于在抽真空結束后在重力作用下下降至所述下降位置。

優(yōu)選地，所述升降軸和所述通孔的軸心線相互平行，所述升降軸的長度大于所述通孔的長度。

優(yōu)選地，所述升降軸的直徑小于所述通孔的直徑。

優(yōu)選地，所述升降組件處于所述上升位置時，所述阻擋件抵設于所述坩堝蓋體下表面，所述排氣孔下端與所述阻擋件之間間隔排列。

優(yōu)選地，所述升降組件處于所述下降位置時，所述擋板和所述坩堝蓋體之間平面抵接或錐面抵接。

優(yōu)選地，所述坩堝本體和所述坩堝蓋體之間螺紋連接或螺栓連接。

優(yōu)選地，所述坩堝本體和所述坩堝蓋體之間柱面配合或錐面配合。

優(yōu)選地，所述排氣孔有多個，多個所述排氣孔兩兩間隔排列的設于所述擋板下方。

更優(yōu)選地，多個所述排氣孔均沿豎直方向延伸，或從下往上沿靠近所述通孔的方向傾斜延伸。