[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202110093260.8
• 申請日: 2021-01-25
• 公開（公告）號: CN114171471A
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: 足立繪美子;西川幸江;財滿康太郎
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: H01L23/34
• 分類號: H01L23/34;H01L29/739;G01K7/01
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

實施方式提供一種適當地配置了溫度傳感器的半導體裝置。實施方式的半導體裝置具備：半導體部；設于所述半導體部的背面上的第一電極；設于所述半導體部的表面側且相互分離的多個第二電極；設于所述半導體部與所述多個第二電極的各個之間的控制電極；覆蓋所述半導體部的所述表面側并具有使所述多個第二電極露出的多個開口的樹脂層；以及設于所述半導體部與所述樹脂層之間并位于所述半導體部的所述表面的中央的傳感器元件。所述樹脂層的所述多個開口分別具有至少四個被倒圓的角。所述傳感器元件設于所述樹脂層的被所述多個開口中的至少三個開口包圍的區域與所述半導體部之間。

相關申請

本申請享受以日本專利申請2020－152177號(申請日：2020年9月10日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內容。

技術領域

實施方式涉及半導體裝置。

背景技術

存在在設有晶體管等開關元件的半導體芯片上具有溫度傳感器的半導體裝置。這樣的溫度傳感器優選設置在適合開關元件的布局、能夠準確地檢測芯片溫度的位置。

發明內容

實施方式提供一種適當地配置了溫度傳感器的半導體裝置。

實施方式的半導體裝置具備：半導體部；第一電極，設于所述半導體部的背面上；多個第二電極，設于所述半導體部的表面側且相互分離；控制電極，設于所述半導體部與所述多個第二電極的各個之間；樹脂層，覆蓋所述半導體部的所述表面側，并具有使所述多個第二電極露出的多個開口；以及傳感器元件，設于所述半導體部與所述樹脂層之間，且位于所述半導體部的所述表面的中央。所述控制電極通過第一絕緣膜與所述半導體部電絕緣，通過第二絕緣膜與所述多個第二電極的各個電絕緣。所述半導體部包括：第一導電型的第一半導體層，在所述第一電極與所述多個第二電極之間延伸；第二導電型的第二半導體層，分別設于所述第一半導體層與所述多個第二電極之間；以及第一導電型的第三半導體層，分別設于所述第二半導體層與所述多個第二電極之間。所述多個第二電極分別與所述第二半導體層以及所述第三半導體層電連接。所述樹脂層的所述多個開口分別具有至少四個被倒圓的角。所述傳感器元件設于所述樹脂層的被所述多個開口中的至少三個開口包圍的區域與所述半導體部之間。

附圖說明

圖1的(a)、(b)是表示第一實施方式的半導體裝置的示意圖。

圖2的(a)、(b)是表示第一實施方式的半導體裝置的另一示意圖。

圖3的(a)、(b)是表示第一實施方式的半導體裝置的又一示意圖。

圖4是表示第一實施方式的變形例的半導體裝置的示意圖。

圖5的(a)、(b)是表示第一實施方式的另一變形例的半導體裝置的示意圖。

圖6是表示第一實施方式的又一變形例的半導體裝置的示意圖。

圖7的(a)、(b)是表示第二實施方式的半導體裝置的示意圖。

圖8的(a)、(b)是表示第二實施方式的變形例的半導體裝置的示意圖。

圖9的(a)、(b)是表示第二實施方式的另一變形例的半導體裝置的示意圖。

圖10是表示第二實施方式的又一變形例的半導體裝置的示意圖。

圖11的(a)、(b)是表示第三實施方式的半導體裝置的示意圖。

圖12的(a)、(b)是表示第三實施方式的變形例的半導體裝置的示意圖。

圖13的(a)、(b)是表示第三實施方式的另一變形例的半導體裝置的示意圖。

圖14是表示第三實施方式的又一變形例的半導體裝置的示意圖。