[發(fā)明專利]溫控裝置及其溫度控制方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110090259.X
• 申請(qǐng)日: 2021-01-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112859955B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-08-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘際今
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 維沃移動(dòng)通信有限公司
• 主分類號(hào): G05D23/20
• 分類號(hào): G05D23/20
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11442
• 代理人: 王春鋒

1.一種溫控裝置，其特征在于，包括：

殼體(1)，所述殼體(1)包括相互連接的頂殼(11)和底殼(12)；控溫板(2)，所述控溫板(2)設(shè)置于所述殼體(1)內(nèi)，所述控溫板(2)的第一表面朝向所述頂殼(11)，所述控溫板的第二表面朝向所述底殼(12)；

第一導(dǎo)熱組件，所述第一導(dǎo)熱組件設(shè)置于所述頂殼(11)與所述控溫板(2)之間，并與所述頂殼(11)接觸；

第二導(dǎo)熱組件，所述第二導(dǎo)熱組件設(shè)置于所述底殼(12)與所述控溫板(2)之間；

控制電路(3)，所述控制電路(3)與所述控溫板(2)連接；

所述殼體(1)沿第二方向的側(cè)邊上設(shè)置有多個(gè)出風(fēng)口(14)，所述第一導(dǎo)熱組件包括導(dǎo)熱板(5)，所述導(dǎo)熱板(5)內(nèi)設(shè)置有送風(fēng)通道(51)，所述送風(fēng)通道(51)的入口連接有送風(fēng)風(fēng)扇(6)，所述送風(fēng)通道(51)的出口與所述出風(fēng)口(14)相對(duì)；

所述殼體(1)沿第一方向的側(cè)邊上設(shè)置有多個(gè)進(jìn)風(fēng)口(13),在外部空氣通過(guò)所述進(jìn)風(fēng)口(13)進(jìn)入到所述殼體(1)內(nèi)部后，所述送風(fēng)風(fēng)扇(6)用于將部分空氣送入到所述送風(fēng)通道(51)內(nèi)，以通過(guò)所述出風(fēng)口(14)將空氣對(duì)外輸出，所述導(dǎo)熱板(5)上還設(shè)置有至少一個(gè)第二溫度傳感器(15)，所述第二溫度傳感器(15)靠近所述送風(fēng)通道(51)的出口并與所述控制電路(3)電連接；

其中，在所述控制電路(3)正向通電的情況下，所述第一表面制冷，所述第一導(dǎo)熱組件將所述頂殼(11)的熱量傳遞至所述第一表面；所述第二表面制熱，所述第二導(dǎo)熱組件將所述第二表面的熱量傳遞至所述底殼(12)；

在所述控制電路(3)反向充電的情況下，所述第一表面制熱，所述第一導(dǎo)熱組件將所述第一表面的熱量傳遞至所述頂殼(11)，所述第二表面制冷，所述第二導(dǎo)熱組件將所述底殼(12)的熱量傳遞至所述第二表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫控裝置，其特征在于，所述控制電路(3)包括電池、MCU、切換開(kāi)關(guān)及MOS開(kāi)關(guān)，所述MOS開(kāi)關(guān)包括第一MOS開(kāi)關(guān)、第二MOS開(kāi)關(guān)、第三MOS開(kāi)關(guān)和第四MOS開(kāi)關(guān)，所述切換開(kāi)關(guān)連接至所述MCU，所述電池和所述MCU均通過(guò)所述MOS開(kāi)關(guān)與所述控溫板(2)連接；

在所述控制電路(3)正向充電的情況下，所述第二MOS開(kāi)關(guān)和第三MOS開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，且所述第一MOS開(kāi)關(guān)和第四MOS開(kāi)關(guān)斷開(kāi)；

在所述控制電路(3)反向充電的情況下，所述第二MOS開(kāi)關(guān)和第三MOS開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，且所述第一MOS開(kāi)關(guān)和第四MOS開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫控裝置，其特征在于，所述頂殼(11)遠(yuǎn)離所述底殼(12)的一側(cè)設(shè)有容納槽(111)，所述容納槽(111)用于放置電子設(shè)備；

在所述電子設(shè)備放置于所述容納槽(111)且所述控制電路(3)正向通電的情況下，所述第一導(dǎo)熱組件將所述電子設(shè)備的熱量傳遞至所述第一表面；

在所述電子設(shè)備放置于所述容納槽(111)且所述控制電路(3)反向通電的情況下，所述第一導(dǎo)熱組件將所述第一表面的熱量傳遞至所述電子設(shè)備。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的溫控裝置，其特征在于，所述容納槽(111)的底面設(shè)置有導(dǎo)熱口(112)，所述導(dǎo)熱口(112)上設(shè)置有硅膠層(113)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫控裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)熱組件包括散熱組件(4)，所述散熱組件(4)包括散熱片(41)和散熱風(fēng)扇(42)，所述散熱風(fēng)扇(42)設(shè)置于所述散熱片(41)靠近所述底殼(12)的一側(cè)，所述底殼(12)上與所述散熱風(fēng)扇(42)相對(duì)的位置設(shè)置有散熱口(121)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的溫控裝置，其特征在于，所述散熱片(41)上設(shè)置有至少一個(gè)第一溫度傳感器(43)，所述第一溫度傳感器(43)與所述控制電路(3)電連接。

7.一種權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述溫控裝置的溫度控制方法，其特征在于，包括：

獲取所述頂殼的溫度參數(shù)；

根據(jù)所述溫度參數(shù)，確定通電電流及目標(biāo)通電方向，根據(jù)所述通電電流和所述目標(biāo)通電方向控制所述控制電路通電，以使所述頂殼的溫度達(dá)到預(yù)設(shè)溫度；

其中，所述目標(biāo)通電方向?yàn)檎蛲娀蚍聪蛲姟?/p>

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的溫度控制方法，其特征在于，所述控制電路包括MOS開(kāi)關(guān)，所述MOS開(kāi)關(guān)包括第一MOS開(kāi)關(guān)、第二MOS開(kāi)關(guān)、第三MOS開(kāi)關(guān)和第四MOS開(kāi)關(guān)；所述根據(jù)所述溫度參數(shù)，確定目標(biāo)通電方向，根據(jù)所述目標(biāo)通電方向控制所述控制電路通電，包括：

在所述溫度參數(shù)大于第一預(yù)設(shè)值的情況下，確定所述目標(biāo)通電方向?yàn)檎蛲姡⒖刂扑龅诙﨧OS開(kāi)關(guān)和第三MOS開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，控制所述第一MOS開(kāi)關(guān)和第四MOS開(kāi)關(guān)斷開(kāi)；

在所述溫度參數(shù)小于第一預(yù)設(shè)值的情況下，確定所述目標(biāo)通電方向?yàn)榉聪蛲姡⒖刂扑龅谝籑OS開(kāi)關(guān)和第四MOS開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，控制所述第二MOS開(kāi)關(guān)和第三MOS開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。