[發(fā)明專利]集成電路后仿真參數(shù)網(wǎng)表的生成方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110090095.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-01-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112765916A | 公開(公告)日: | 2021-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曹云 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號(hào): | G06F30/327 | 分類號(hào): | G06F30/327;G06F30/3308;G06F30/398 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成電路 仿真 參數(shù) 生成 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種集成電路后仿真參數(shù)網(wǎng)表的生成方法,包括:從仿真電路中生成電路網(wǎng)表,電路網(wǎng)表包含多級(jí)子電路ID號(hào),對(duì)所述電路網(wǎng)表內(nèi)的子電路ID號(hào)進(jìn)行排序,以避免重復(fù)的子電路ID號(hào);從排序后的電路網(wǎng)表和版圖中進(jìn)行寄生參數(shù)網(wǎng)表的提取,所述寄生參數(shù)網(wǎng)表包括電子元件ID號(hào)和電子元件的寄生電容參數(shù),所述電子元件ID號(hào)和所述寄生電容參數(shù)一一對(duì)應(yīng);根據(jù)電子元件ID號(hào)嵌入到最末級(jí)的子電路ID中,在電路網(wǎng)表中查出對(duì)應(yīng)的子電路,并在其中嵌入對(duì)應(yīng)的寄生電容參數(shù),以形成后仿真參數(shù)網(wǎng)表。所得的仿真網(wǎng)表就是含寄生電容參數(shù)的層次化網(wǎng)表。相比于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明可以得到占用空間更小的后仿真參數(shù)網(wǎng)表,可以使仿真時(shí)間縮短,節(jié)約資源和時(shí)間。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種集成電路后仿真參數(shù)網(wǎng)表的生成方法。
背景技術(shù)
隨著工藝的不斷進(jìn)步,寄生效應(yīng)如寄生電容對(duì)集成電路帶來(lái)的性能影響已不容忽視,對(duì)深亞微米的集成電路設(shè)計(jì)尤其需考慮這方面因素的影響。具體的,集成電路中包含多個(gè)電子元件,每個(gè)元件都可能產(chǎn)生寄生電容,而這些寄生電容是在之前設(shè)計(jì)電路時(shí)沒(méi)有考慮的,因此會(huì)對(duì)實(shí)際的電路有影響,所以可以采用后仿真測(cè)試的方法以測(cè)試包含寄生電容的電路是否符合設(shè)計(jì)要求。
“后仿真”指的是版圖設(shè)計(jì)完成以后,將版圖的線路設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)成仿真電路進(jìn)行仿真,得到仿真電路的電路參數(shù)網(wǎng)表和仿真電路的寄生參數(shù)網(wǎng)表,將寄生參數(shù)網(wǎng)表中的寄生參數(shù),例如寄生電容參數(shù)反標(biāo)到所提取的電路參數(shù)網(wǎng)表中進(jìn)行仿真,對(duì)電路進(jìn)行分析,確保電路符合設(shè)計(jì)要求。
現(xiàn)有技術(shù)的寄生電容參數(shù)反標(biāo)到電路參數(shù)網(wǎng)表中,采用的方法是平鋪的方法,即,提取寄生電容參數(shù)時(shí),首先將元件編號(hào),然后再提取每個(gè)元件的寄生電容參數(shù),最后將提取的寄生電容參數(shù)在代碼段中一一列出來(lái)組成平坦型的寄生參數(shù)網(wǎng)表。提取電路參數(shù)網(wǎng)表時(shí)也采用的同樣的方法,將多個(gè)子電路的參數(shù)在代碼段中一一列出來(lái)組成平坦型的電路參數(shù)網(wǎng)表,平坦型的網(wǎng)表只有一級(jí),不存在多級(jí)調(diào)用的功能。因此,采用這種方法將寄生電容參數(shù)反標(biāo)到電路參數(shù)網(wǎng)表中形成后仿真參數(shù)網(wǎng)表后,得到后仿真參數(shù)網(wǎng)表的文件較大,導(dǎo)致在使用后仿真參數(shù)網(wǎng)表進(jìn)行仿真時(shí),仿真時(shí)間過(guò)長(zhǎng),浪費(fèi)資源和時(shí)間。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種集成電路后仿真參數(shù)網(wǎng)表的生成方法,相比于現(xiàn)有技術(shù),可以得到占用空間更小的后仿真參數(shù)網(wǎng)表,使得仿真時(shí)間縮短,從而節(jié)約資源和時(shí)間。
為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供了一種集成電路后仿真參數(shù)網(wǎng)表的生成方法,用于對(duì)集成電路進(jìn)行后仿真測(cè)試,包括:
從仿真電路中生成電路網(wǎng)表,電路網(wǎng)表包含多級(jí)子電路ID號(hào),對(duì)所述電路網(wǎng)表內(nèi)的子電路ID號(hào)進(jìn)行排序,以避免重復(fù)的子電路ID號(hào);
從排序后的電路網(wǎng)表和版圖中進(jìn)行寄生參數(shù)網(wǎng)表的提取,所述寄生參數(shù)網(wǎng)表包括電子元件ID號(hào)和電子元件的寄生電容參數(shù),所述電子元件ID號(hào)和所述寄生電容參數(shù)一一對(duì)應(yīng);
根據(jù)電子元件ID號(hào)嵌入到最末級(jí)的子電路ID中,在電路網(wǎng)表中查出對(duì)應(yīng)的子電路,并在其中嵌入對(duì)應(yīng)的寄生電容參數(shù),以形成后仿真參數(shù)網(wǎng)表。
可選的,在所述的集成電路后仿真參數(shù)網(wǎng)表的生成方法中,所述仿真電路參數(shù)網(wǎng)表、所述寄生參數(shù)網(wǎng)表和所述后仿真參數(shù)網(wǎng)表均為CDL文件的網(wǎng)表。
可選的,在所述的集成電路后仿真參數(shù)網(wǎng)表的生成方法中,對(duì)所述電路網(wǎng)表內(nèi)的子電路ID號(hào)進(jìn)行排序的方法包括:對(duì)所述子電路ID號(hào)按照數(shù)值的大小從小到大排序。
可選的,在所述的集成電路后仿真參數(shù)網(wǎng)表的生成方法中,使用后仿真參數(shù)網(wǎng)表進(jìn)行仿真,在仿真到所述子電路ID號(hào)時(shí),調(diào)用電子元件ID號(hào)對(duì)應(yīng)的寄生電容參數(shù)進(jìn)行仿真。
可選的,在所述的集成電路后仿真參數(shù)網(wǎng)表的生成方法中,使用后仿真參數(shù)網(wǎng)表進(jìn)行仿真,在仿真到所述子電路ID號(hào)時(shí),調(diào)用電子元件ID號(hào)對(duì)應(yīng)的寄生電容參數(shù)進(jìn)行仿真。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司,未經(jīng)上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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