[發明專利]分柵快閃存儲器及其制備方法

在審

• 申請號: 202110090045.2
• 申請日: 2021-01-22
• 公開（公告）號: CN112750789A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 李冰寒;江紅;王哲獻;高超;于濤易
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/8246
• 分類號: H01L21/8246;H01L27/11517;H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種分柵快閃存儲器的制備方法，其特征在于，所述分柵快閃存儲器的制備方法包括：

提供一襯底，所述襯底上依次形成有浮柵層和掩模層；

在所述掩模層中形成一溝槽，所述溝槽貫穿所述掩模層和所述浮柵層，露出部分所述襯底；

形成字線，所述字線填充所述溝槽；

去除所述掩模層；

在所述浮柵層上形成控制柵側墻，所述控制柵側墻覆蓋所述字線的側壁，且所述控制柵側墻靠近所述字線的側壁垂直于所述浮柵層的表面。

2.根據權利要求1所述的分柵快閃存儲器的制備方法，其特征在于，形成所述控制柵側墻的過程，包括：

在所述浮柵層上形成控制柵層；

去除部分所述控制柵層，以形成所述控制柵側墻。

3.根據權利要求1所述的分柵快閃存儲器的制備方法，其特征在于，采用低壓化學氣相沉積工藝形成所述控制柵側墻。

4.根據權利要求1所述的分柵快閃存儲器的制備方法，其特征在于，形成所述溝槽的過程，包括：

在所述掩模層上形成第一開口，并使部分所述浮柵層暴露；

形成第一氧化層，所述第一氧化層覆蓋所述第一開口側壁；

在所述浮柵層中形成第二開口，所述第二開口位于所述第一開口的下方且與所述第一開口連通；

其中，所述第一開口和所述第二開口構成所述溝槽。

5.根據權利要求4所述的分柵快閃存儲器的制備方法，其特征在于，在形成所述字線之前，所述分柵快閃存儲器的制備方法還包括：

形成氮化層和第二氧化層，所述氮化層覆蓋所述第一氧化層以及所述第二開口的側壁，所述第二氧化層覆蓋所述氮化層以及所述溝槽的底部；

其中，所述第一氧化層、所述氮化層和所述第二氧化層構成字線側墻。

6.根據權利要求1所述的分柵快閃存儲器的制備方法，其特征在于，在去除所述掩模層之后，所述分柵快閃存儲器的制備方法還包括：

形成ONO膜層；所述ONO膜層覆蓋所所述字線的側壁，并延伸覆蓋所述浮柵層。

7.根據權利要求1所述的分柵快閃存儲器的制備方法，其特征在于，在形成所述字線之后，所述分柵快閃存儲器的制備方法還包括：

在所述字線上表面形成第三氧化層。

8.根據權利要求7所述的分柵快閃存儲器的制備方法，其特征在于，采用熱氧化工藝形成所述第三氧化層。

9.根據權利要求1所述的分柵快閃存儲器的制備方法，其特征在于，所述浮柵層與所述襯底之間還形成有第四氧化層。

10.一種分柵快閃存儲器，其特征在于，所述分柵快閃存儲器包括：

一襯底，所述襯底上有浮柵層；

一字線，所述字線貫穿所述浮柵層；

一控制柵側墻，所述控制柵側墻形成于所述浮柵層上，且覆蓋所述字線的側壁；其中，所述控制柵側墻靠近所述字線的一側垂直于所述浮柵層。