[發明專利]基于接地共面波導結構的射頻寬帶功率放大器及設計方法在審
| 申請號: | 202110089870.0 | 申請日: | 2021-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN112865708A | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發明(設計)人: | 王洪;熊胗婷;陳竟雄 | 申請(專利權)人: | 華南理工大學 |
| 主分類號: | H03F1/02 | 分類號: | H03F1/02;H03F3/189 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;江裕強 |
| 地址: | 510640 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 接地 波導 結構 射頻 寬帶 功率放大器 設計 方法 | ||
1.一種基于共面波導結構的射頻寬帶功率放大器,其特征在于,包括:從上至下排列的微帶接地共面波導模塊(101)、PCB基板(102)、金屬地層(103)和散熱模塊(104);
所述微帶接地共面波導模塊(101)包括輸入匹配網絡(201)、輸出匹配網絡(202)、第一偏置電路(203)、第二偏置電路(204)、接地共面波導(205)、晶體管(206)、電源接口(207)、輸入接口(208)和輸出接口(209);
其中,輸入接口(208)、輸入匹配網絡(201)、晶體管(206)、輸出匹配網絡(202)和輸出接口(209)順次連接;第一偏置電路(203)一端與電源接口(207)的第一端連接,另一端接入輸入匹配網絡(201)和晶體管(206)第一端的連接處;第二偏置電路(204)一端與電源接口(207)的第二端連接,另一端接入輸出匹配網絡(202)和晶體管(206)第二端的連接處;接地共面波導(205)在PCB基板(102)頂層以一定的間距環繞在輸入匹配網絡(201)、輸出匹配網絡(202)、第一偏置電路(203)和第二偏置電路(204)周圍,并通過若干金屬化過孔與金屬地層(103)連接;電源接口(207)的第三端與接地共面波導(205)連接,并通過若干無規則非陣列金屬化過孔與金屬地層(103)連接。
2.根據權利要求1所述的基于共面波導結構的射頻寬帶功率放大器,其特征在于,所述輸入匹配網絡(201)包括:第一微帶線(301)、第二微帶線(302)、第三微帶線(303)、第四微帶線(304)、第五微帶線(305)、第六微帶線(306)、第一隔直電容(313)、第一穩定電阻(311)和第一穩定電容(312);所述輸出匹配網絡(202)包括:第七微帶線(307)、第八微帶線(308)、第九微帶線(309)和第二隔直電容(310);
其中,輸入接口(208)、第一隔直電容(313)、第一微帶線(301)、第二微帶線(302)、第三微帶線(303)、第四微帶線(304)、第五微帶線(305)、第六微帶線(306)、晶體管(206)、第七微帶線(307)、第八微帶線(308)、第九微帶線(309)、第二隔直電容(310)和輸出接口(209)順次連接;第一穩定電阻(311)和第一穩定電容(312)并聯接入第二微帶線(302)和第三微帶線(303)之間;
所述第一偏置電路(203)包括:第一濾波電容(314)、第二濾波電容(315)、第三濾波電容(316)、第四濾波電容(317)、第五濾波電容(318)、第一微帶偏置線(319)和第二穩定電阻(320);所述第二偏置電路(204)包括:第六濾波電容(321)、第七濾波電容(322)、第八濾波電容(323)、第九濾波電容(324)、第十濾波電容(325)、第十一濾波電容(326)、第二微帶偏置線(327);
其中,第一微帶偏置線(319)一端連接電源接口(207)的第一端,另一端連接第二穩定電阻(320)一端,第二穩定電阻(320)的另一端接入第四微帶線(304)和第五微帶線(305)之間;第一濾波電容(314)、第二濾波電容(315)、第三濾波電容(316)、第四濾波電容(317)和第五濾波電容(318)的兩端均分別跨接第一微帶偏置線(319)與電源接口(207)的連接處和接地共面波導(205)上;第二微帶偏置線(327)一端連接電源接口(207)的第二端,另一端接入第七微帶線(307)和第八微帶線(308)之間;第六濾波電容(321)、第七濾波電容(322)、第八濾波電容(323)、第九濾波電容(324)、第十濾波電容(325)和第十一濾波電容(326)的兩端均分別跨接在第二微帶偏置線(327)與電源接口(207)的連接處和接地共面波導(205)上。
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