[發明專利]一種膠膜封裝工藝

在審

• 申請號: 202110089219.3
• 申請日: 2021-01-22
• 公開（公告）號: CN112909152A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 蘭晶華;文海建;劉世明;蔡振
• 申請（專利權）人: 深圳市鑫業新光電有限公司
• 主分類號: H01L33/54
• 分類號: H01L33/54;H01L33/52
• 代理公司: 廣東東莞市中晶知識產權代理事務所(普通合伙) 44661
• 代理人: 張海英

1.一種膠膜封裝工藝，其特征在于，包括如下步驟：

S1、備料：根據膠膜封裝需求選擇需要使用的膠膜粉和膠膜膠，并對膠膜粉和膠膜膠按比例進行稱量，稱量相應的份數進行備用；

S2、攪拌：將稱量好的膠膜粉和膠膜膠放入到真空攪拌機中，對膠膜粉和膠膜膠進行真空攪拌，使膠膜粉和膠膜膠充分融合形成半成品膠水；

S3、壓模：將真空攪拌制得的半成品膠水導入到壓膜機設備中，通過壓膜機工作熱壓，熱壓溫度為150℃，將導入的半成品膠水模壓制得半成品膠膜片；

S4、切割：將模壓制得的半成品膠膜片放入到切割機設備中，按照對膠膜的使用需求，將半成品膠膜片切割成需求的規格尺寸，制得單PCS的膠膜，然后向單PCS的膠膜鋪設放入藍膜上，作為備用；

S5、固晶：將鋪設有單PCS膠膜的藍膜放置到固晶機上，固晶機工作將藍膜上的膠膜頂起，然后通過吸嘴吸取單PCS的膠膜，此時在芯片上放點膠，隨即將單PCS的膠膜放在芯片上，使膠膜和芯片通過點膠固定；

S6、初次烘烤：將通過點膠固定有膠膜的芯片放置到烤箱中進行烘烤，使膠膜與芯片充分進行接觸；

S7、圍堰：將初次烘烤完成的芯片取出，然后用白膠對芯片和膠膜邊緣進行填充；

S8、再次烘烤：將填充有白膠的膠膜和芯片再次放置到烤箱中進行烘烤，使白膠與膠膜和芯片充分進行接觸，烘烤溫度控制在100-180℃，烘烤時間為170-190min；

S9、成品：將再次烘烤完成的芯片取出，進行切割和分類，切割和分類結束后，然后按檔次置入編帶機進行編帶包裝制得成品。

2.根據權利要求1所述的一種膠膜封裝工藝，其特征在于，所述步驟S1和S2所涉及的膠膜粉由氮化物類的紅粉與GaAG類的綠粉和YAG類的黃粉中的一項或多項混合制成。

3.根據權利要求1所述的一種膠膜封裝工藝，其特征在于，所述步驟S1和S2所涉及的膠膜膠由道康寧7103A/B膠和信越2461A/B膠中的一項或兩項混合而成。

4.根據權利要求1所述的一種膠膜封裝工藝，其特征在于，所述步驟S2所涉及的攪拌時間和轉速依次為：

a：攪拌時長28-32S，攪拌轉速為195-205r/S；

b：攪拌時長58-62S，攪拌轉速為510-530r/S；

c：攪拌時長18-22S，攪拌轉速為1950-2050r/S；

d：攪拌時長88-92S，攪拌轉速為890-910r/S；

e：攪拌時長28-32S，攪拌轉速為1180-1200r/S；

且按照上述攪拌時間和轉速順序，連續攪拌兩次。

5.根據權利要求1所述的一種膠膜封裝工藝，其特征在于，所述步驟S3所涉及的模壓的半成品膠膜片的厚度范圍應控制在0.14-0.16之間。

6.根據權利要求1所述的一種膠膜封裝工藝，其特征在于，所述步驟S6所涉及的初次烘烤的烘烤溫度應控制在100-180℃，且烘烤的時間為170-190min。

7.根據權利要求1所述的一種膠膜封裝工藝，其特征在于，所述步驟S7所涉及的圍堰在對邊緣進行填充時，應只留正上方，實現單面發光。

8.根據權利要求1所述的一種膠膜封裝工藝，其特征在于，所述步驟S8所涉及的再次烘烤的烘烤溫度應控制在100-180℃，且烘烤的時間為170-190min。

9.根據權利要求1所述的一種膠膜封裝工藝，其特征在于，所述步驟S8所涉及的分類為對切割后的芯片進行分光和分色。