[發明專利]基于漸變鋁鎵氮電子阻擋異質結的高功率激光二極管在審
| 申請號： | 202110088818.3 | 申請日： | 2021-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN114825047A | 公開（公告）日： | 2022-07-29 |
| 發明（設計）人： | 李曙琨;胡曉東;郎睿;雷孟錸;陳煥卿 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | H01S5/343 | 分類號： | H01S5/343;H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京萬象新悅知識產權代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 漸變 鋁鎵氮 電子 阻擋 異質結 功率 激光二極管 | ||
1.一種激光二極管，包括襯底和在襯底上從下到上依次層疊設置的n型下限制層、下波導層、有源區、上波導層、p型漸變AlxGa1-xN層、p型GaN接觸層，其中p型漸變AlxGa1-xN層由下到上Al組分含量x從0.1～0.2的某一數值線性漸變至0。
2.如權利要求1所述的激光二極管，其特征在于，所述p型漸變AlxGa1-xN層的Al組分含量x由下到上從0.15線性漸變至0。
3.如權利要求1所述的激光二極管，其特征在于，所述p型漸變AlxGa1-xN層中Mg摻雜濃度為1E17/cm3～1E20/cm3。
4.如權利要求1所述的激光二極管，其特征在于，所述p型漸變AlxGa1-xN層的厚度為300～600nm。
5.如權利要求1所述的激光二極管，其特征在于，所述襯底為n型GaN自支撐同質襯底。
6.如權利要求1所述的激光二極管，其特征在于，所述n型下限制層為n型AlGaN下限制層。
7.如權利要求1所述的激光二極管，其特征在于，所述下波導層是非故意摻雜或n型的GaN下波導層，或者是非故意摻雜或n型的InGaN下波導層。
8.如權利要求1所述的激光二極管，其特征在于，所述有源區為InGaN多量子阱。
9.如權利要求1所述的激光二極管，其特征在于，所述上波導層是非故意摻雜的GaN上波導層，或者是非故意摻雜的InGaN上波導層。
10.如權利要求1所述的激光二極管，其特征在于，所述p型GaN接觸層為高Mg摻雜的p型GaN接觸層。
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