[發(fā)明專利]減少雜晶產(chǎn)生的單晶合金定向凝固方法及模殼結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110088757.0
• 申請(qǐng)日: 2021-01-22
• 公開（公告）號(hào): CN112921393A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋揚(yáng);王遠(yuǎn)斌;李小政;張凡;王勇;杜小兵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都航宇超合金技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C30B11/14
• 分類號(hào): C30B11/14;C30B29/52;B22D27/04;B22D27/20;B22C9/22;C25D3/50;C23C14/16;C23C14/34;C23C14/24
• 代理公司: 成都虹橋?qū)＠聞?wù)所(普通合伙) 51124
• 代理人: 劉揚(yáng)

1.減少雜晶產(chǎn)生的單晶合金定向凝固方法，其特征在于，包括如下步驟：

a、制備001取向的籽晶，并將籽晶表面磨拋至光亮；

b、在預(yù)制完畢的籽晶頂端沉積設(shè)置抗氧化金屬層，然后將籽晶放入籽晶模殼(1)的底部；

c、完成澆鑄并得到葉片。

2.如權(quán)利要求1所述的減少雜晶產(chǎn)生的單晶合金定向凝固方法，其特征在于：步驟a中，通過線切割制備001取向的籽晶。

3.如權(quán)利要求1所述的減少雜晶產(chǎn)生的單晶合金定向凝固方法，其特征在于：步驟a中，采用砂紙將籽晶表面磨拋至光。

4.如權(quán)利要求1所述的減少雜晶產(chǎn)生的單晶合金定向凝固方法，其特征在于：步驟b中，抗氧化金屬層為Pt層。

5.如權(quán)利要求1或4所述的減少雜晶產(chǎn)生的單晶合金定向凝固方法，其特征在于：步驟b中，抗氧化金屬層采用電鍍、濺射或蒸鍍的方式沉積設(shè)置于籽晶頂端。

6.如權(quán)利要求1或4所述的減少雜晶產(chǎn)生的單晶合金定向凝固方法，其特征在于：步驟b中，抗氧化金屬層厚度范圍為0.05um～20um之間。

7.用于實(shí)施權(quán)利要求1所述的減少雜晶產(chǎn)生的單晶合金定向凝固方法的模殼結(jié)構(gòu)，包括螺旋選晶器(3)，其特征在于：包括頸縮段(2)和籽晶模殼(1)，所述螺旋選晶器(3)的底部通過頸縮段(2)與籽晶模殼(1)頂部連通，其中，頸縮段(2)內(nèi)徑范圍為螺旋選晶器(3)的螺旋段(31)內(nèi)徑尺寸的50％以下。

8.如權(quán)利要求7所述的用于實(shí)施權(quán)利要求1所述的減少雜晶產(chǎn)生的單晶合金定向凝固方法的模殼結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述頸縮段(2)為中空的剛玉陶瓷管。

9.如權(quán)利要求7所述的用于實(shí)施權(quán)利要求1所述的減少雜晶產(chǎn)生的單晶合金定向凝固方法的模殼結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述頸縮段(2)為中空的陶瓷圓環(huán)。