[發(fā)明專利]一種發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110088527.4 | 申請日: | 2021-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN112420903B | 公開(公告)日: | 2022-04-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 覃志偉;鄧群雄;郭文平 | 申請(專利權(quán))人: | 山東元旭光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/52 | 分類號: | H01L33/52;H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司: | 北京中知君達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11769 | 代理人: | 李辰;黃啟法 |
| 地址: | 261000 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 發(fā)光 器件 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:導(dǎo)熱基板、第一電路、發(fā)光芯片以及光反射模組;其中,
所述第一電路固定設(shè)置于所述導(dǎo)熱基板上,所述發(fā)光芯片固定設(shè)置于所述第一電路上,且所述發(fā)光芯片與所述第一電路電連接,所述導(dǎo)熱基板10為氮化鋁陶瓷基板,其厚度為500μm、長度為5mm、寬度為5mm;
所述光反射模組全部固定設(shè)置于所述第一電路上,所述光反射模組用于將所述發(fā)光芯片發(fā)出的光信號沿第一方向反射出去,其中,所述第一方向?yàn)樗霭l(fā)光器件的出光方向,所述光反射模組的頂部與所述發(fā)光芯片的距離不大于100μm,所述光反射模組的結(jié)構(gòu)根據(jù)所述發(fā)光芯片的光信號的出射方向和/或輻射范圍來調(diào)整;
所述封裝結(jié)構(gòu)還包括:第三電路,所述第三電路固定設(shè)置于所述第一電路上,且所述第三電路與所述第一電路電連接;
所述發(fā)光芯片固定設(shè)置于所述第三電路上,且所述發(fā)光芯片與所述第三電路電連接;
所述第三電路的厚度為100μm~120μm;
所述封裝結(jié)構(gòu)還包括齊納芯片,所述齊納芯片固定設(shè)置在所述第一電路上,當(dāng)所述齊納芯片為倒裝芯片時,其正負(fù)電極通過金錫共晶、錫膏或?qū)щ娿y膠中的一種方式與所述第一電路的正負(fù)電路連接,當(dāng)所述齊納芯片為正裝芯片時,其正負(fù)電極通過焊線的方式與所述第一電路的正負(fù)電路連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述光反射模組為一中空且上下兩端開口的立體結(jié)構(gòu),所述光反射模組的底部與所述第一電路固定連接,所述發(fā)光芯片被圈設(shè)在所述光反射模組內(nèi)部,所述光反射模組的頂部開口朝向所述第一方向。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述光反射模組為一中空且頂部開口的立體結(jié)構(gòu),所述光反射模組的底部與所述第一電路固定連接,所述發(fā)光芯片設(shè)置于所述光反射模組內(nèi),所述光反射模組的頂部開口朝向所述第一方向。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述光反射模組的底部開設(shè)有至少兩個第一通孔,所述發(fā)光芯片通過所述至少兩個第一通孔與所述第一電路電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括:第二電路,所述第二電路固定設(shè)置于所述導(dǎo)熱基板的下方,且所述第一電路與所述第二電路電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述導(dǎo)熱基板上開設(shè)有至少兩個第二通孔,所述第一電路與所述第二電路通過所述至少兩個第二通孔電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一電路包括第一正極電路和第一負(fù)極電路,所述第二電路包括第二正極電路和第二負(fù)極電路,所述第一正極電路與所述第二正極電路電連接,所述第一負(fù)極電路與所述第二負(fù)極電路電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述光反射模組的內(nèi)側(cè)壁下邊緣與所述第三電路的側(cè)面下邊緣之間的距離小于或等于10微米。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述發(fā)光芯片通過金錫共晶、錫膏或?qū)щ娿y膠中的其中一種方式與所述第三電路電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述光反射模組是由具備反射功能的金屬材料制成的;或者,所述光反射模組的內(nèi)側(cè)壁上鍍有具備反射功能的金屬層或鍍有具備反射功能的分布式布拉格反射鏡DBR薄膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述光反射模組的內(nèi)側(cè)壁和底面上鍍有具備反射功能的分布式布拉格反射鏡DBR薄膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述光反射模組與所述發(fā)光芯片之間填充有透光材料。
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