[發明專利]提高薄膜厚度均勻性的方法在審
| 申請號： | 202110088473.1 | 申請日： | 2021-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN112921305A | 公開（公告）日： | 2021-06-08 |
| 發明（設計）人： | 田守衛;胡海天;章盟狄 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/458 | 分類號： | C23C16/458;C23C16/50 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提高 薄膜 厚度 均勻 方法 | ||
1.一種提高薄膜厚度均勻性的方法，其特征在于，包括：
提供襯底和薄膜沉積設備；
將所述襯底放進所述薄膜沉積設備，在所述襯底上進行薄膜沉積；
將襯底在水平方向上進行旋轉，并繼續在所述薄膜沉積設備繼續薄膜沉積，以使得所述襯底的各個部位均受到所述薄膜沉積設備的反應腔室內的不同部位的等離子體沖擊。
2.如權利要求1所述的提高薄膜厚度均勻性的方法，其特征在于，所述襯底包括晶圓。
3.如權利要求1所述的提高薄膜厚度均勻性的方法，其特征在于，所述薄膜沉積設備包括化學氣相沉積設備。
4.如權利要求1所述的提高薄膜厚度均勻性的方法，其特征在于，將襯底在水平方向上進行旋轉的方法包括：在所述襯底的邊緣處設置一標記，以所述標記為基準在水平方向上旋轉所述襯底。
5.如權利要求1所述的提高薄膜厚度均勻性的方法，其特征在于，所述標記旋轉的角度為所述襯底旋轉的角度。
6.如權利要求1所述的提高薄膜厚度均勻性的方法，其特征在于，將襯底在水平方向進行旋轉的方向為順時針或者逆時針方向。
7.如權利要求6所述的提高薄膜厚度均勻性的方法，其特征在于，將襯底在水平方向進行旋轉的角度為0～180°。
8.如權利要求7所述的提高薄膜厚度均勻性的方法，其特征在于，將襯底在水平方向上進行旋轉的次數為至少一次。
9.如權利要求8所述的提高薄膜厚度均勻性的方法，其特征在于，將襯底在水平方向上轉動一次，轉動的角度為180°。
10.如權利要求8所述的提高薄膜厚度均勻性的方法，其特征在于，將襯底在水平方向上轉動兩次，轉動的角度為60°。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
