[發明專利]分柵快閃存儲器的制備方法

在審

• 申請號: 202110088460.4
• 申請日: 2021-01-22
• 公開（公告）號: CN112968000A
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 湯志林;王卉
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/8246
• 分類號: H01L21/8246;H01L21/336;H01L21/762;H01L21/265
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種分柵快閃存儲器的制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底上依次形成有浮柵層和硬掩模層；

形成若干溝槽，所述溝槽依次貫穿所述硬掩模層以及所述浮柵層，并暴露部分所述襯底；

對所述溝槽底部的襯底表層執行反型離子注入工藝，以在所述溝槽的底部形成勢壘層；

繼續刻蝕所述溝槽底部的部分厚度的襯底，以使所述溝槽延伸至所述襯底內，且在所述溝槽外圍保留部分所述勢壘層；

采用絕緣介質填充所述溝槽，以形成淺溝槽隔離結構。

2.根據權利要求1所述的分柵快閃存儲器的制備方法，其特征在于，在執行離子注入工藝中，采用的注入離子包括硼離子，且注入能量范圍為20KeV～30KeV，離子濃度范圍為20×10¹²/cm²～60×10¹²/cm²。

3.根據權利要求1所述的分柵快閃存儲器的制備方法，其特征在于，在所述形成若干溝槽的步驟中，采用干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝刻蝕所述硬掩模層和所述浮柵層，以形成各個所述溝槽。

4.根據權利要求1所述的分柵快閃存儲器的制備方法，其特征在于，在所述襯底與所述浮柵層之間還形成有第一氧化層。

5.根據權利要求4所述的分柵快閃存儲器的制備方法，其特征在于，在所述形成若干溝槽中，所述溝槽依次貫穿所述硬掩模層、所述浮柵層以及所述第一氧化層，并刻蝕停止在所述襯底的表面上。

6.根據權利要求1所述的分柵快閃存儲器的制備方法，其特征在于，所述絕緣介質包括氧化物。

7.根據權利要求1所述的分柵快閃存儲器的制備方法，其特征在于，在形成淺溝槽隔離結構之后，所述分柵快閃存儲器的制備方法還包括：

刻蝕由所述淺溝槽隔離結構定義出的各個有源區上方的所述硬掩模層、所述浮柵層以及部分厚度的所述襯底，以形成相應的第一開口；

形成填充在所述第一開口中的擦除柵；

去除各個所述有源區的襯底表面上的部分所述硬掩模層和所述浮柵層，并保留所述擦除柵兩側的部分所述硬掩模層和所述浮柵層，以形成第二開口。

8.根據權利要求7所述的分柵快閃存儲器的制備方法，其特征在于，在形成所述擦除柵之前，所述分柵快閃存儲器的制備方法還包括：

在所述第一開口內形成第二氧化層；

對所述第一開口底部的襯底執行離子注入工藝，以在所述第一開口底部的襯底內形成源極。

9.根據權利要求7所述的分柵快閃存儲器的制備方法，其特征在于，在形成所述第二開口之后，所述分柵快閃存儲器的制備方法還包括：

形成填充在所述第二開口中的字線；

形成字線側墻，所述字線側墻覆蓋在所述字線背向所述擦除柵的一側側壁上。

10.根據權利要求9所述的分柵快閃存儲器的制備方法，其特征在于，在形成所述字線側墻之后，所述分柵快閃存儲器的制備方法還包括：

以所述字線側墻為阻擋，對所述字線側墻背向所述字線一側的所述襯底執行離子注入工藝，以形成漏極。