[發明專利]一種非對稱的電壓偏置效應的高壓高阻值多晶硅電阻模型在審
| 申請號： | 202110088415.9 | 申請日： | 2021-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN112928208A | 公開（公告）日： | 2021-06-08 |
| 發明（設計）人： | 王正楠 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L49/02 | 分類號： | H01L49/02;H01L27/01 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 對稱 電壓 偏置 效應 高壓 阻值 多晶 電阻 模型 | ||
1.一種非對稱的電壓偏置效應的高壓高阻值多晶硅電阻模型，包括第一連接端子(N1)、第二連接端子(N2)、第一寄生電阻(R1)、第二寄生電阻(R2)，其特征在于：所述模型還包括第一多晶硅電阻(R3)、第二多晶硅電阻(R4)，用于在所述第一連接端子(N1)、第二連接端子(N2)加不同電壓時正向或反向導通設置。
2.如權利要求1所述的一種非對稱的電壓偏置效應的高壓高阻值多晶硅電阻模型，其特征在于，所述模型還包括第一受控開關(SW1)和第二受控開關(SW2)，用于在所述第一連接端子(N1)、第二連接端子(N2)加不同電壓時選擇性地接入所述第一多晶硅電阻(R3)或第二多晶硅電阻(R4)。
3.如權利要求2所述的一種非對稱的電壓偏置效應的高壓高阻值多晶硅電阻模型，其特征在于：所述第一連接端子(N1)、第一寄生電阻(R1)、第一多晶硅電阻(R3)、第二多晶硅電阻(R4)、第二寄生電阻(R2)與第二連接端子(N2)依次級聯。
4.如權利要求3所述的一種非對稱的電壓偏置效應的高壓高阻值多晶硅電阻模型，其特征在于：所述第一受控開關(SW1)與第一多晶硅電阻(R3)并聯，所述第二受控開關(SW2)與第二多晶硅電阻(R4)并聯。
5.如權利要求4所述的一種非對稱的電壓偏置效應的高壓高阻值多晶硅電阻模型，其特征在于：當所述第一連接端子(N1)的電壓大于第二連接端子(N2)的電壓時，設置所述第一受控開關(SW1)為導通狀態，第二受控開關(SW2)為斷開狀態，所述第二多晶硅電阻(R4)被接入。
6.如權利要求5所述的一種非對稱的電壓偏置效應的高壓高阻值多晶硅電阻模型，其特征在于：當所述第二連接端子(N2)的電壓大于所述第一連接端子(N1)的電壓時，第二受控開關(SW2)為導通狀態，第一受控開關(SW1)為斷開狀態，所述第一多晶硅電阻(R3)被接入。
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