[發明專利]半導體清洗設備及晶片清洗方法

有效

• 申請號: 202110087609.7
• 申請日: 2021-01-22
• 公開（公告）號: CN112974396B
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: 王琳;張明
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: B08B3/12
• 分類號: B08B3/12;B08B13/00;H01L21/67
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 施敬勃

1.一種半導體清洗設備，包括清洗槽及設置于所述清洗槽中的換能器振板，其特征在于，所述換能器振板包括振板本體、多個振子組和控制器，每個所述振子組均包括至少一個振子，多個所述振子組均設置在所述振板本體上，且被設置為環繞所述清洗槽中的預設清洗位置，其中，所述半導體清洗設備清洗晶片時，所述晶片處于所述預設清洗位置；

控制器用于在清洗所述晶片時，同時開啟各所述振子組，且使各所述振子組在第一預設時長內保持開啟狀態；在所述第一預設時長后，關閉各所述振子組，再依次開啟各所述振子組，使多個所述振子組的波束聚焦于所述晶片上的預設區域；

所述控制器還用于針對當前的所述預設區域，基于預設的與當前的所述預設區域對應的振子組開啟順序和振子組初始相位，開啟各所述振子組，使多個所述振子組的波束在到達當前的所述預設區域時均是波峰。

2.根據權利要求1所述的半導體清洗設備，其特征在于，所述振板本體上開設有階梯槽，所述階梯槽包括多個被設置為環繞所述預設清洗位置的臺階，多個所述振子組一一對應的設置在所述多個臺階上。

3.根據權利要求2所述的半導體清洗設備，其特征在于，所述臺階沿所述清洗槽的長度方向延伸，每個所述振子組均包括多個所述振子，多個所述振子在所述臺階上沿所述清洗槽的長度方向均勻排布。

4.根據權利要求3所述的半導體清洗設備，其特征在于，在所述清洗槽的寬度方向上，各所述振子組之間的間距相等。

5.根據權利要求1-4任一項所述的半導體清洗設備，其特征在于，多個所述振子組均位于一以所述晶片中心為圓心的圓弧上。

6.根據權利要求1所述的半導體清洗設備，其特征在于，所述控制器還用于多次地關閉各所述振子組再依次開啟各所述振子組，使多個所述振子組的波束分別依次聚焦于所述晶片上的多個所述預設區域。

7.根據權利要求1所述的半導體清洗設備，其特征在于，所述清洗槽包括外槽和內槽，所述內槽設置于所述外槽中，所述內槽的底面與水平面呈一預設角度，所述換能器振板設置于所述外槽的底部。

8.一種晶片清洗方法，應用于權利要求1-7任一項所述的半導體清洗設備，其特征在于，包括：

將待清洗的晶片放入清洗槽中，使所述晶片處于預設清洗位置；

同時開啟各振子組，且使各所述振子組在第一預設時長內保持開啟狀態；

在所述第一預設時長后，關閉各所述振子組，再依次開啟各所述振子組，使多個所述振子組的波束聚焦于所述晶片上的預設區域。