[發(fā)明專利]用于處理無(wú)線電信號(hào)的電子裝置及其操作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110086598.0
• 申請(qǐng)日: 2021-01-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113162636B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-02-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李孝成;趙南俊;羅孝錫;李漢燁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H04B1/00
• 分類號(hào): H04B1/00;H04B1/40
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 劉虹

1.一種電子裝置，包括：

通信處理器；以及

第一開(kāi)關(guān)電路；

第二開(kāi)關(guān)電路，其連接到多個(gè)天線端口；

功率放大器，其電連接到所述通信處理器，所述功率放大器進(jìn)一步包括：

第一放大電路和第一移相器，安置在所述功率放大器的輸入端口和所述第一開(kāi)關(guān)電路之間的第一電子路徑上，

第二放大電路，安置在所述第一開(kāi)關(guān)電路和第二開(kāi)關(guān)電路之間的第二電子路徑上，和

第三放大電路，安置在所述第一開(kāi)關(guān)電路和所述第二開(kāi)關(guān)電路之間的第三電子路徑上，以及

低噪聲放大器，其電連接到所述通信處理器，所述低噪聲放大器包括：

第四放大電路和第二移相器，安置在所述第一開(kāi)關(guān)電路和所述低噪聲放大器的輸出端口之間的第四電子路徑上，

第五放大電路，安置在所述第二開(kāi)關(guān)電路和所述第一開(kāi)關(guān)電路之間的第五電子路徑上，

第六放大電路，安置在所述第二開(kāi)關(guān)電路和所述第一開(kāi)關(guān)電路之間的第六電子路徑上，

其中，在發(fā)送期間，所述第一開(kāi)關(guān)電路被布置為將所述第一放大電路和所述第一移相器連接到所述第二放大電路和所述第三放大電路中的一個(gè)，并且所述第二開(kāi)關(guān)電路被布置為將天線端口與所述第二放大電路和所述第三放大電路中所述一個(gè)相連接，

并且其中，在接收期間，所述第一開(kāi)關(guān)電路被布置為將所述第四放大電路和所述第二移相器連接到所述第五放大電路和所述第六放大電路中的一個(gè)，并且所述第二開(kāi)關(guān)電路被布置為將天線端口與所述第五放大電路和所述第六放大電路中所述一個(gè)相連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，所述第一放大電路、所述第二放大電路和所述第三放大電路被安置在相同的芯片中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，所述第一放大電路和所述第三放大電路被安置在第一芯片中，并且

所述第二放大電路被安置在與所述第一芯片不同的第二芯片中。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子裝置，其中，與所述第二放大電路有關(guān)的輸入匹配電路和輸出匹配電路被安置在所述第一芯片或所述第二芯片中。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子裝置，其中，與所述第二放大電路有關(guān)的所述輸入匹配電路被安置在所述第一芯片中，并且

與所述第二放大電路有關(guān)的所述輸出匹配電路被安置在所述第二芯片中。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子裝置，其中，所述第一芯片包括以單元素工藝生產(chǎn)的半導(dǎo)體，并且

所述第二芯片包括以復(fù)合工藝生產(chǎn)的半導(dǎo)體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子裝置，其中，所述單元素工藝包括硅(Si)和鍺(Ge)之一，并且

其中，所述復(fù)合工藝包括硅鍺(SiGe)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)、硫化鎘(CdS)、碲化鋅(ZnTe)或硫化鉛(PbS)之一。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子裝置，其中，所述第一芯片和所述第二芯片被提供為一個(gè)封裝。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中，所述第二放大電路和所述第三放大電路被配置為支持不同的頻帶和/或不同的放大因子。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，進(jìn)一步包括至少一個(gè)天線模塊，所述至少一個(gè)天線模塊包括至少一個(gè)天線，

其中，所述功率放大器被安裝在所述至少一個(gè)天線模塊上。