[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110086559.0
• 申請日: 2021-01-22
• 公開（公告）號: CN113130482A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊松鑫;鄭宗期;蕭茹雄
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一晶體管，所述第一晶體管在第一區(qū)域中，所述第一晶體管包括：

沿第一方向縱向延伸的第一柵極結(jié)構(gòu)，以及

在所述第一柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上方的第一柵極間隔層、第二柵極間隔層和第三柵極間隔層；以及

第二晶體管，所述第二晶體管在第二區(qū)域中，所述第二晶體管包括：

沿所述第一方向縱向延伸的第二柵極結(jié)構(gòu)，以及

在所述第二柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上方的所述第一柵極間隔層和所述第三柵極間隔層，

其中，所述第一柵極間隔層、所述第二柵極間隔層和所述第三柵極間隔層的組成不同，

其中，所述第三柵極間隔層直接位于所述第二區(qū)域中的所述第一柵極間隔層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述第一區(qū)域中，所述第二柵極間隔層設(shè)置在所述第一柵極間隔層上方，并且所述第三柵極間隔層設(shè)置在所述第二柵極間隔層上方。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一柵極結(jié)構(gòu)沿垂直于所述第一方向的第二方向的寬度大于所述第二柵極結(jié)構(gòu)沿所述第二方向的寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二柵極間隔層包括氧化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一柵極間隔層包括碳氮氧化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第三柵極間隔層包括氮化硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第三柵極間隔層包括氮化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述第一柵極間隔層具有第一厚度，所述第二柵極間隔層具有第二厚度，并且所述第三柵極間隔層具有第三厚度，

其中，所述第二厚度大于所述第一厚度和所述第三厚度。

9.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一晶體管，所述第一晶體管在第一區(qū)域中，所述第一晶體管包括：

沿第一方向縱向延伸的第一柵極結(jié)構(gòu)，以及

在所述第一柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上方的第一柵極間隔層、第二柵極間隔層、第三柵極間隔層和第四柵極間隔層；以及

第二晶體管，所述第二晶體管在第二區(qū)域中，所述第二晶體管包括：

沿所述第一方向縱向延伸的第二柵極結(jié)構(gòu)，以及

在所述第二柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上方的所述第一柵極間隔層、所述第三柵極間隔層和所述第四柵極間隔層，

其中，所述第四柵極間隔層、所述第三柵極間隔層和所述第二柵極間隔層的組成不同，

其中，所述第三柵極間隔層直接位于所述第二區(qū)域中的所述第一柵極間隔層上。

10.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在襯底的第一區(qū)域上方沉積第一偽柵極堆疊件，并且在襯底的第二區(qū)域上方沉積第二偽柵極堆疊件；

在所述第一偽柵極堆疊件和所述第二偽柵極堆疊件上方沉積第一間隔材料層；

在所述第一間隔材料層上方沉積第二間隔材料層；

回蝕刻所述第二間隔材料層；

選擇性地移除所述第二區(qū)域中的所述第二間隔材料層；

在選擇性地移除之后，在所述第一偽柵極堆疊件和所述第二偽柵極堆疊件上方沉積第三間隔材料層；以及

蝕刻所述第一間隔材料層、所述第二間隔材料層和所述第三間隔材料層，以沿著所述第一偽柵極堆疊件的側(cè)壁形成第一柵極間隔件，并沿著所述第二偽柵極堆疊件的側(cè)壁形成第二柵極間隔件，

其中，所述第一柵極間隔材料層、所述第二柵極間隔材料層和所述第三柵極間隔材料層的組成不同。