[發(fā)明專利]一種用于粒子治療裝置的超薄束流剖面探測系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110086406.6
• 申請日: 2021-01-22
• 公開（公告）號: CN112904401A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐治國
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院近代物理研究所;惠州離子科學(xué)研究中心
• 主分類號: G01T1/29
• 分類號: G01T1/29;A61N5/10
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 孫楠

1.一種用于粒子治療裝置的超薄束流剖面探測系統(tǒng)，其特征在于，包括薄膜、加速絲網(wǎng)、微通道板、信號讀出陽極板和支架；

所述薄膜，用于產(chǎn)生二次電子，放置在束流方向；

所述加速絲網(wǎng)，用于對二次電子進(jìn)行加速，位于所述薄膜的下部，與所述薄膜一起固定在所述支架的頂部；

所述微通道板，固定在所述支架的底部，與所述薄膜之間形成漂移電場，加速后的二次電子經(jīng)所述漂移電場到達(dá)所述微通道板進(jìn)行放大；

所述信號讀出陽極板，設(shè)置在所述微通道板的下方，與所述微通道板一起固定在所述支架的底部；用于收集放大后的二次電子產(chǎn)生電流信號，將該電流信號傳輸至位于所述探測系統(tǒng)外部的多通道電流數(shù)字轉(zhuǎn)換電路后記錄，實(shí)現(xiàn)對束流的位置及包絡(luò)信息測量。

2.如權(quán)利要求1所述探測系統(tǒng)，其特征在于，所述在薄膜上施加負(fù)高壓，所述加速絲網(wǎng)和微通道板上施加負(fù)電壓，所述微通道板的上表面與下表面之間具有電壓差。

3.如權(quán)利要求2所述探測系統(tǒng)，其特征在于，所述微通道板的上表面負(fù)電壓低于所述加速絲網(wǎng)上的負(fù)電壓。

4.如權(quán)利要求2所述探測系統(tǒng)，其特征在于，所述微通道板的下表面為接近0V的負(fù)電壓或為0V。

5.如權(quán)利要求1所述探測系統(tǒng)，其特征在于，所述薄膜采用碳膜、鋁膜或塑料膜制作而成，厚度在0.2～20微米量級。

6.如權(quán)利要求1所述探測系統(tǒng)，其特征在于，所述薄膜的上表面鍍有一層易于提升二次電子產(chǎn)額的材料。

7.如權(quán)利要求1所述探測系統(tǒng)，其特征在于，所述加速絲網(wǎng)采用垂直交叉絲網(wǎng)，其由固定框架和設(shè)置在所述固定框架內(nèi)的額垂直交叉的絲網(wǎng)電極構(gòu)成。

8.如權(quán)利要求1所述探測系統(tǒng)，其特征在于，所述信號讀出陽極板的上表面有效面積范圍內(nèi)設(shè)置有陽極讀出電極，該陽極讀出電極采用條狀或矩形。

9.如權(quán)利要求1所述探測系統(tǒng)，其特征在于，所述薄膜與束流之間具有預(yù)先設(shè)定的角度。

10.如權(quán)利要求1所述探測系統(tǒng)，其特征在于，所述信號讀出陽極板與所述微通道板之間具有距離。