[發(fā)明專利]一種用于可見(jiàn)光通信的LED芯片結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110086236.1
• 申請(qǐng)日: 2021-01-22
• 公開（公告）號(hào): CN112909137B
• 公開（公告）日: 2023-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張建立;陳壽清;吳小明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南昌大學(xué);南昌硅基半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/08
• 分類號(hào): H01L33/08;H01L33/36;H01L33/38
• 代理公司: 江西省專利事務(wù)所 36100
• 代理人: 張文

1.一種用于可見(jiàn)光通信的LED芯片結(jié)構(gòu)，該LED芯片為垂直結(jié)構(gòu)，自下至上依次包括導(dǎo)電基板層、鍵合層、p電極、外延層、n電極，其特征在于：所述n電極由電極線及焊盤組成，電極線的密布排列將LED芯片分隔成若干個(gè)小尺寸的子區(qū)域，所述n電極的形狀分布為網(wǎng)格狀或圓環(huán)狀，其中n電極的面積占LED芯片面積的比例x滿足20%≤x≤80%。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于可見(jiàn)光通信的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電極線的線寬為1μm～40μm，電極線的間距w滿足10μm≤w≤100μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于可見(jiàn)光通信的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述焊盤的數(shù)目m滿足1≤m≤100，焊盤的形狀為圓形、方形、三角形、星形、五邊形、六邊形或菱形。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于可見(jiàn)光通信的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：P型摻雜層、發(fā)光層、N型摻雜層構(gòu)成的外延層為AlGaInN或AlGaInP基材料體系中的一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于可見(jiàn)光通信的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述n電極為導(dǎo)電性能良好且與N型摻雜層能夠形成良好歐姆接觸的金屬材料，n電極厚度為1μm～10μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于可見(jiàn)光通信的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述n電極為Au、Al、Ti、Cr、Cu、Ag、Pt、Ni中的任意一種金屬單層或疊層結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于可見(jiàn)光通信的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述P型摻雜層的底部與p電極形成良好的歐姆接觸，P型摻雜層的底部具有互補(bǔ)結(jié)構(gòu)或不具有互補(bǔ)結(jié)構(gòu)。