[發(fā)明專利]一種拋光墊及半導體器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110086051.0
• 申請日: 2021-01-22
• 公開（公告）號: CN112405337B
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設計）人: 黃學良;蔡長益;邱瑞英;桂輝輝;劉敏;羅乙杰;楊佳佳;張季平
• 申請（專利權(quán)）人: 湖北鼎匯微電子材料有限公司;湖北鼎龍控股股份有限公司
• 主分類號: B24B37/26
• 分類號: B24B37/26;B24B1/00;H01L21/306
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括使用拋光墊對半導體晶片表面進行研磨的工序，所述拋光墊包括拋光層，所述拋光層的硬度為40-70D，密度為0.6-0.9g/cm³；并且，所述拋光層包括拋光表面和位于拋光表面上的拋光單元，拋光單元組成拋光單元群，拋光單元群的一端形成接觸表面，接觸表面與被研磨材料直接接觸，每個拋光單元在接觸表面的投影為平行四邊形；

多個拋光單元組成第一部分，第一部分的拋光單元在第一方向上延伸并均勻間隔，

多個拋光單元組成第二部分，第二部分的拋光單元與第一方向平行的方向延伸并均勻間隔，第一部分的拋光單元的間隔與第二部分的拋光單元的間隔相等，在第一方向上的間隔距離為W1；

拋光單元由多個第一部分和第二部分組成，第一部分與第二部分的彼此之間的間隔相等，在第二方向上間隔距離為W2；拋光單元的接觸表面的面上具有通道，通道為直線，包括多個第一通道和多個第二通道，第一通道與所述第一方向平行，和/或，第二通道與所述第二方向平行；

所述拋光單元的接觸表面具有面積S1，拋光單元在接觸表面上投影的平行四邊形在第一方向和第二方向上的邊長分別為L1和L2，第一方向和第二方向的夾角為θ，如下：

S1=L1*L2*sinθ

所述通道在拋光單元接觸表面的投影具有面積Sa，在每個拋光單元上，所述第一通道數(shù)量為n，平均寬度為Waa，長度為L1；所述第二通道數(shù)量為m，平均寬度為Wab，長度為L2，所述通道的平均深度為Da，其中n，m為整數(shù)，m+n≥1，交點數(shù)量Nb=m*n,如下：

Sa=n*Waa*L1*sinθ+m*Wab*L2*sinθ-Nb*Waa*Wab*sinθ

所述拋光單元的有效接觸面積Ss，如下：

Ss=S1-Sa=sinθ*(L1*L2- n*Waa*L1-m*Wab*L2+Nb*Waa*Wab)

拋光層有效接觸面積比RS3定義如下：

RS3=Ss/((L1+W1)*(L2+W2)*sinθ)

=((L1*L2- n*Waa*L1-m*Wab*L2+Nb*Waa*Wab))/((L1+W1)*(L2+W2))，RS3的范圍是50-85%；

研磨面積比RS1定義如下：

RS1=L1*L2/((L1+W1)*(L2+W2))，RS1的范圍是0.60-0.92；

拋光單元的有效接觸面積比RS2定義如下：

RS2=Ss/ S1，RS2的范圍是0.5-0.97。