[發(fā)明專利]半導體裝置與其形成方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110080777.3 | 申請日： | 2021-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN113113362A | 公開（公告）日： | 2021-07-13 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳宜群;蔡雅怡;楊宜偉;古淑瑗;陳嘉仁 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8238 | 分類號： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知識產(chǎn)權代理有限公司 72003 | 代理人： | 聶慧荃;閆華 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 與其 形成 方法 | ||
1.一種半導體裝置的形成方法，包括：
形成一鰭狀物于一半導體基板上；
形成一金屬柵極于該鰭狀物上；
蝕刻該金屬柵極以形成一溝槽穿過該金屬柵極至該半導體基板中；以及
沉積一介電材料于該溝槽中，其中該介電材料延伸至該半導體基板中的一n型裝置與一p型裝置之間的界面。
2.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中蝕刻該金屬柵極至半導體基板的步驟形成多個凹陷于該半導體基板中。
3.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中蝕刻該金屬柵極的步驟還包括進行一系列沉積-蝕刻工藝。
4.如權利要求3所述的半導體裝置的形成方法，其中一系列沉積-蝕刻工藝包括在一蝕刻工藝之前沉積一介電側壁襯墊層。
5.一種半導體裝置的形成方法，包括：
圖案化一半導體基板以形成一隔離區(qū)與一鰭狀物于一半導體基板中；
形成一金屬柵極堆疊于該鰭狀物與該隔離區(qū)上；
進行多個蝕刻循環(huán)移除該金屬柵極堆疊、該隔離區(qū)與該半導體基板的部分，以形成一開口穿過該金屬柵極堆疊與該隔離區(qū)至該半導體基板中，且多個所述蝕刻循環(huán)分開該金屬柵極堆疊的一第一部分與一第二部分；以及
沉積一介電材料以填入該開口。
6.如權利要求5所述的半導體裝置的形成方法，其中多個所述蝕刻循環(huán)還包括：
沉積一襯墊層；以及
蝕穿該襯墊層的一部分。
7.如權利要求6所述的半導體裝置的形成方法，其中多個所述蝕刻循環(huán)還包括在蝕穿該襯墊層的該部分之后延伸該開口。
8.一種半導體裝置，包括：
一n型裝置的一第一柵極，位于一半導體基板的一第一鰭狀物上；
一p型裝置的一第二柵極，位于該半導體基板的一第二鰭狀物上；以及
一切割金屬柵極插塞，分開該第一柵極與該第二柵極，其中該切割金屬柵極插塞延伸至該半導體基板中的該n型裝置與該p型裝置之間的一界面。
9.如權利要求8所述的半導體裝置，還包括一隔離區(qū)于該第一鰭狀物與該第二鰭狀物之間，且該切割金屬柵極插塞延伸穿過該隔離區(qū)。
10.如權利要求8所述的半導體裝置，其中該n型裝置的一源極/漏極接點結構形成于該切割金屬柵極插塞上。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
