[發明專利]一種半導體裝置及具有該半導體裝置的半導體封裝結構

在審

• 申請號: 202110079714.6
• 申請日: 2021-01-21
• 公開（公告）號: CN112885795A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 劉家寶
• 申請（專利權）人: 劉家寶
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/495
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體裝置，包括芯片主體(1)，其特征在于：所述芯片主體(1)的上端設置有源極(11)、柵極(13)和漏極(12)，所述源極(11)和漏極(12)分別位于柵極(13)的兩側，所述源極(11)和柵極(13)之間以及漏極(12)和柵極(13)之間設置有第一絕緣層(14)，所述芯片主體(1)的底部設置有散熱填充層(15)，所述散熱填充層(15)的外端設置有散熱分流層(16)，所述散熱填充層(15)和散熱分流層(16)上設置有第二絕緣層(17)，所述第二絕緣層(17)將散熱填充層(15)和散熱分流層(16)分隔為第一散熱部(161)和第二散熱部(162)兩個獨立部分。

2.根據權利要求1所述的一種半導體裝置，其特征在于：所述散熱填充層(15)由金剛石粉末壓制而成。

3.根據權利要求1所述的一種半導體裝置，其特征在于：所述散熱填充層(15)包裹在芯片主體(1)靠近源極(11)側和漏極(12)側端面以及下端面。

4.根據權利要求1所述的一種半導體裝置，其特征在于：所述散熱分流層(16)采用黃銅制成。

5.根據權利要求1所述的一種半導體裝置，其特征在于：所述散熱分流層(16)的兩端分別與源極(11)和漏極(12)焊接，即第一散熱部(161)與源極(11)焊接，第二散熱部(162)與漏極(12)焊接。

6.根據權利要求1所述的一種半導體裝置，其特征在于：所述散熱填充層(15)側視為圓弧形結構。

7.根據權利要求1所述的一種半導體裝置，其特征在于：所述第一絕緣層(14)和第二絕緣層(17)采用聚酰亞胺制成。

8.一種半導體封裝結構，包括管腳支架(2)和芯片外殼(3)，其特征在于：所述管腳支架(2)由芯片支撐座(24)、芯片管腳(23)、第一管腳(21)和第二管腳(22)組成，所述芯片管腳(23)的上端設置有鋁制連接片(25)，所述芯片管腳(23)、第一管腳(21)和第二管腳(22)平行插在芯片支撐座(24)上，所述芯片管腳(23)、第一管腳(21)和第二管腳(22)相互隔開，所述管腳支架(2)的上端設置有芯片主體(1)，所述芯片外殼(3)包裹在芯片支撐座(24)的上端，所述芯片主體(1)的源極(11)與第一管腳(21)通過第一散熱部(161)連接，所述芯片主體(1)的漏極(12)與第二管腳(22)通過第二散熱部(162)連接，所述芯片主體(1)的柵極(13)與芯片管腳(23)通過鋁制連接片(25)連接。

9.根據權利要求8所述的一種半導體封裝結構，其特征在于：所述芯片外殼(3)的仰視與芯片主體(1)側視重合。

10.根據權利要求8所述的一種半導體封裝結構，其特征在于：所述芯片主體(1)與管腳支架(2)通過回流焊技術連接。