[發(fā)明專利]一種裂片裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110078467.8
• 申請日: 2021-01-20
• 公開（公告）號: CN112885746B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張紫辰;侯煜;張喆;王然;岳嵩;李曼;張昆鵬;石海燕;薛美
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 北京蘭亭信通知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11667
• 代理人: 趙永剛

1.一種裂片裝置，用于對切割后的晶圓進(jìn)行裂片，其特征在于，包括：

支撐結(jié)構(gòu)；

設(shè)置在所述支撐結(jié)構(gòu)上的承片環(huán)、以及用于將晶圓膜固定在所述承片環(huán)上的繃膜框，其中，所述晶圓膜具有相對的第一面及第二面，所述晶圓粘附在所述晶圓膜的第一面上；

設(shè)置在所述支撐結(jié)構(gòu)上的裂片臺，所述裂片臺具有用于抵壓在所述晶圓膜的第二面上的凸起曲面；所述凸起曲面的面積大于所述晶圓的面積，且所述裂片臺能夠相對所述承片環(huán)，沿所述承片環(huán)的軸向穿過所述承片環(huán)；

其中，所述凸起曲面上分布有多個氣孔；所述多個氣孔用于向所述晶圓膜吹氣以使所述晶圓膜與所述凸起曲面之間脫離接觸，所述多個氣孔還用于將所述晶圓膜吸附在所述凸起曲面上；

在裂片時，邊將所述裂片臺穿過所述承片環(huán)，邊通過所述多個氣孔吹氣，實現(xiàn)所述裂片臺與所述晶圓膜之間的無接觸前移；在前移到一定距離后，通過所述多個氣孔將所述晶圓膜進(jìn)行吸附，使所述晶圓膜貼附在所述凸起曲面上，所述晶圓的切割道內(nèi)的裂紋沿切割道的延伸方向生長；采用上述方式進(jìn)行循環(huán)前進(jìn)，直到所述晶圓沿切割道裂開為止。

2.如權(quán)利要求1所述的裂片裝置，其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)上設(shè)置有與所述多個氣孔連通的真空發(fā)生器；所述真空發(fā)生器用于向所述多個氣孔通壓縮空氣，使所述晶圓膜與所述凸起曲面之間脫離接觸；所述真空發(fā)生器還用于通過所述多個氣孔抽氣，使所述晶圓膜吸附在所述凸起曲面上。

3.如權(quán)利要求1所述的裂片裝置，其特征在于，所述凸起曲面為球冠。

4.如權(quán)利要求3所述的裂片裝置，其特征在于，所述球冠的高為4nm～10nm。

5.如權(quán)利要求3所述的裂片裝置，其特征在于，所述球冠為陶瓷面。

6.如權(quán)利要求3所述的裂片裝置，其特征在于，所述球冠的中心軸、所述晶圓的中心軸、所述承片環(huán)的中心軸位于同一條直線上。

7.如權(quán)利要求3所述的裂片裝置，其特征在于，所述裂片臺滑動裝配在所述支撐結(jié)構(gòu)上，所述承片環(huán)固定在所述支撐結(jié)構(gòu)上，所述球冠的底的直徑小于所述承片環(huán)的內(nèi)徑，且所述裂片臺的滑動方向與所述承片環(huán)的軸線重合。

8.如權(quán)利要求7所述的裂片裝置，其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)上設(shè)置有延伸方向與所述承片環(huán)的軸線重合的伸縮軸，所述裂片臺裝配在所述伸縮軸的端部位置，且所述球冠的凸起方向朝向所述晶圓膜。

9.如權(quán)利要求8所述的裂片裝置，其特征在于，所述裂片臺可拆卸的裝配在所述伸縮軸上。

10.如權(quán)利要求7所述的裂片裝置，其特征在于，還包括用于控制所述裂片臺向所述晶圓膜靠近以使所述球冠的頂點與所述晶圓膜接觸的控制單元；

在所述球冠的頂點與所述晶圓膜接觸后，所述控制單元還用于控制所述多個氣孔向所述晶圓膜吹氣，同時控制所述裂片臺按設(shè)定速度向靠近所述晶圓膜方向滑動第一設(shè)定距離；

在所述裂片臺滑動所述第一設(shè)定距離后，所述控制單元還用于控制所述多個氣孔吸氣，將所述晶圓膜吸附在所述球冠上設(shè)定時間段；

在所述晶圓膜吸附在所述球冠上所述設(shè)定時間段后，所述控制單元還用于控制所述裂片臺、多個氣孔按照上述方式循環(huán)進(jìn)行，直到所述裂片臺向靠近所述晶圓膜方向滑動第二設(shè)定距離。