[發(fā)明專利]單晶銅的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110075702.6 | 申請日： | 2021-01-20 |
| 公開（公告）號： | CN112899768B | 公開（公告）日： | 2022-09-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄒定鑫;田圳;張振生;趙悅;俞大鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 南方科技大學(xué) |
| 主分類號： | C30B1/02 | 分類號： | C30B1/02;C30B29/02;C22F1/08;C22F1/02;C21D9/46 |
| 代理公司： | 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人： | 郝文婷 |
| 地址： | 518000 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單晶銅 制備 方法 | ||
1.一種單晶銅的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供多晶銅和容器，所述容器上設(shè)有至少一個通孔；所述容器包括容器本體及覆蓋所述容器本體的頂蓋，所述通孔設(shè)置在所述容器本體的側(cè)壁，所述多晶銅置于所述容器本體的容置空間中；其中，所述容器的材質(zhì)為金屬；
將所述多晶銅置于所述容器中，經(jīng)退火處理，得到單晶銅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述單晶銅的制備方法，其特征在于，所述退火處理是在保護(hù)性氣體和氫氣的混合氣氛中，以溫度為700℃-1000℃對容置有所述多晶銅的所述容器退火1min-200min。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述單晶銅的制備方法，其特征在于，由室溫升至700℃-1000℃的時間為50min-60min。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述單晶銅的制備方法，其特征在于，所述保護(hù)性氣體的通入流量為500sccm-800sccm；和/或
所述保護(hù)性氣體選自氮?dú)狻鍤庵械闹辽僖环N。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述單晶銅的制備方法，其特征在于，所述氫氣的通入流量為1sccm-600sccm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述單晶銅的制備方法，其特征在于，所述單晶銅的表面潔凈度大于等于99％。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述單晶銅的制備方法，其特征在于，所述多晶銅為多晶銅箔，所述單晶銅為單晶銅箔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述單晶銅的制備方法，其特征在于，所述多晶銅箔的厚度為5μm-1000μm；和/或
所述多晶銅箔的純度大于等于99％。
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