[發明專利]一種光還原降解組合物及其制備方法和應用有效
| 申請號: | 202110074802.7 | 申請日: | 2021-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN112876837B | 公開(公告)日: | 2021-11-23 |
| 發明(設計)人: | 丁明明;王昭丁;段芳紅;陳浩東;李子芬;譚鴻;傅強 | 申請(專利權)人: | 四川大學 |
| 主分類號: | C08L75/04 | 分類號: | C08L75/04;C08L67/00;C08L69/00;C08L75/02;C08L77/04;C08L71/00;C08K5/375;A61K47/34;A61K49/00 |
| 代理公司: | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 劉文娟 |
| 地址: | 610065 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光還原 降解 組合 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種光還原降解組合物,其特征在于,所述光還原降解組合物包括還原敏感高分子和改性還原劑,所述改性還原劑為還原劑與含光敏感基團的物質反應得到的物質;所述光還原降解組合物在外部光刺激的作用下由于光敏感基團的脫除原位產生還原劑,該還原劑進一步與還原敏感高分子發生反應使得所述還原敏感高分子實現了還原降解。
2.根據權利要求1所述的光還原降解組合物,其特征在于,所述還原劑為二硫蘇糖醇、谷胱甘肽、二硫赤蘚醇或β-巰基乙醇中的一種。
3.根據權利要求1所述的光還原降解組合物,其特征在于,所述含光敏感基團的物質選自下述化合物中的一種:
式中X為鹵原子,R1為氫原子或任意取代基,R2和R3為氫原子或烷氧基,其中R2和R3可以相同,也可以不同。
4.根據權利要求1所述的光還原降解組合物,其特征在于,所述還原敏感高分子為含二硫基或二硒基的高分子化合物。
5.根據權利要求4所述的光還原降解組合物,其特征在于,所述還原敏感高分子選自:含有二硫基或二硒基的聚氨酯、聚酯、聚氨基酸、聚碳酸酯、聚脲、聚醚或上述高分子的共聚物。
6.根據權利要求1所述的光還原降解組合物,其特征在于,所述改性還原劑選自下述化合中的一種:
式中,R為光敏感基團。
7.根據權利要求6所述的光還原降解組合物,其特征在于,所述R的結構式選自:
式中,R1為氫原子或任意取代基,R2和R3為氫原子或烷氧基,其中R2和R3可以相同,也可以不同;虛線表示和還原劑的連接位置。
8.權利要求1~7任一項所述的光還原降解組合物的制備方法,其特征在于,所述制備方法為:將還原敏感高分子和改性還原劑通過透析法、溶劑揮發法或萃取法制備成自組裝體,然后經透析、離心和過濾,得到所述光還原降解組合物。
9.根據權利要求8所述的光還原降解組合物的制備方法,其特征在于,所述還原劑為二硫蘇糖醇、谷胱甘肽、二硫赤蘚醇或β-巰基乙醇中的一種;
所述含光敏感基團的物質選自下述化合物中的一種:
式中X為鹵原子,R1為氫原子或任意取代基,R2和R3為氫原子或烷氧基,其中R2和R3可以相同,也可以不同。
10.根據權利要求8所述的光還原降解組合物的制備方法,其特征在于,所述還原敏感高分子為含二硫基或二硒基的高分子化合物。
11.根據權利要求10所述的光還原降解組合物的制備方法,其特征在于,所述還原敏感高分子選自:含有二硫基或二硒基的聚氨酯、聚酯、聚氨基酸、聚碳酸酯、聚脲、聚醚或上述高分子的共聚物。
12.根據權利要求9所述的光還原降解組合物的制備方法,其特征在于,所述改性還原劑選自下述化合中的一種:
式中,R為光敏感基團。
13.根據權利要求12所述的光還原降解組合物的制備方法,其特征在于,所述R的結構式選自:
式中,R1為氫原子或任意取代基,R2和R3為氫原子或烷氧基,其中R2和R3可以相同,也可以不同;虛線表示和還原劑的連接位置。
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