[發明專利]MEMS器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202110074154.5
• 申請日: 2021-01-20
• 公開（公告）號: CN112897454A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 季鋒;聞永祥;劉琛;吳仕劍;程燕;賀錦
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭集成電路有限公司;杭州士蘭集昕微電子有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B7/02
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;楊思雨

1.一種MEMS器件的制造方法，其中，包括：

在第一襯底上形成犧牲層；

在所述犧牲層上形成功能層；

在所述功能層的表面的鍵合區上形成金屬保護層；

去除部分所述功能層形成第一通道；

經由所述第一通道去除部分所述犧牲層形成空腔，以釋放部分所述功能層構成的可移動質量塊；

形成第一有機膜，所述第一有機膜覆蓋所述金屬保護層和所述功能層的表面，還覆蓋所述第一通道與所述空腔的內表面；

加熱所述第一有機膜，以使所述金屬保護層上的第一有機膜的有機分子被破壞；以及

去除所述金屬保護層，以暴露所述鍵合區。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其中，在加熱所述第一有機膜的步驟中，位于所述功能層的表面、位于所述第一通道與所述空腔的內表面的第一有機膜的有機分子被保留。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其中，在形成所述第一有機膜的步驟之前，所述制造方法還包括在所述功能層的表面形成外部焊盤，

所述第一有機膜還覆蓋所述外部焊盤，在加熱所述第一有機膜的步驟中，所述外部焊盤上的第一有機膜的有機分子被破壞。

4.根據權利要求3所述的制造方法，其中，還包括：

在第二襯底的表面形成鍵合焊盤，所述第二襯底具有凹槽；以及

將所述鍵合焊盤與所述鍵合區相對，并將所述第一襯底和所述第二襯底鍵合。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其中，在將所述第一襯底和所述第二襯底鍵合的步驟之前，所述制造方法還包括：

形成第二有機膜，所述第二有機膜覆蓋所述鍵合焊盤的表面與所述凹槽的內表面；

加熱所述第二有機膜，以使所述鍵合焊盤上的第二有機膜的有機分子被破壞；以及

去除部分所述鍵合焊盤，以去除所述鍵合焊盤上的第二有機膜。

6.根據權利要求5所述的制造方法，其中，所述鍵合焊盤包括：

位于所述第二襯底的表面的第一金屬層；以及

位于所述第一金屬層表面的第二金屬層，

去除部分所述鍵合焊盤的步驟包括去除部分所述第二金屬層。

7.根據權利要求6所述的制造方法，其中，所述功能層的材料包括多晶硅，將所述第一襯底和所述第二襯底鍵合的步驟包括將所述第一金屬層、所述第二金屬層以及所述鍵合區的功能層共晶鍵合。

8.根據權利要求7所述的制造方法，其中，所述第一金屬層的材料包括Al，所述第二金屬層的材料包括Ge，

所述第一金屬層與所述第二金屬層在共晶鍵合后形成Al/Ge共晶層。

9.根據權利要求5所述的制造方法，其中，所述第二襯底包括延伸部，在將所述第一襯底和所述第二襯底鍵合的步驟之后，所述延伸部覆蓋所述外部焊盤，

所述制造方法還包括去除所述延伸部以暴露所述外部焊盤。

10.根據權利要求9所述的制造方法，其中，在去除所述延伸部的步驟之后，所述制造方法還包括：

去除部分未被所述第二襯底覆蓋的功能層形成開口，以將被所述第二襯底覆蓋的功能層與承載所述外部焊盤的功能層分隔。

11.根據權利要求1-10任一項所述的制造方法，其中，所述第一襯底、所述犧牲層以及所述功能層的材料包括硅元素。

12.一種MEMS器件，其中，采用如權利要求1-11任一項所述的制造方法形成。