[發明專利]GaNFET作為用于快速激光脈沖發生器的儲能器在審
| 申請號： | 202110073640.5 | 申請日： | 2017-10-13 |
| 公開（公告）號： | CN112886385A | 公開（公告）日： | 2021-06-01 |
| 發明（設計）人： | B.加森德;P-Y.德羅茲 | 申請（專利權）人： | 偉摩有限責任公司 |
| 主分類號： | H01S5/042 | 分類號： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 金玉潔 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ganfet 作為 用于 快速 激光 脈沖 發生器 儲能器 | ||
1.一種系統，包括：
光發射器件，耦合到供電電壓；
第一場效應晶體管，串聯地耦合在所述光發射器件和地之間；和
第二場效應晶體管，包括耦合到所述供電電壓的漏極端子，并包括均耦合到地的源極端子和柵極端子，
其中，所述光發射器件被配置為基于通過所述第一場效應晶體管的電流發射激光光脈沖。
2.根據權利要求1所述的系統，其中，所述第二場效應晶體管與所述光發射器件和第一場效應晶體管并聯連接，并被配置為作為固定或可變電容器進行操作。
3.根據權利要求1所述的系統，其中，所述第二場效應晶體管被配置為提供對與光發射器件相關聯的寄生電感補償的電容。
4.根據權利要求1所述的系統，還包括：
控制器，被配置為向所述第一場效應晶體管的柵極端子提供觸發脈沖信號，其中所述光發射器件基于觸發脈沖信號發射激光脈沖序列。
5.根據權利要求1所述的系統，其中，所述第二場效應晶體管被配置為減少跨越光發射器件的電壓的振蕩。
6.根據權利要求1所述的系統，其中，所述第二場效應晶體管被配置為減少所述第一場效應晶體管的漏極端子與源極端子之間的負電壓。
7.根據權利要求1所述的系統，其中，所述第一場效應晶體管還包括：
耦合到所述光發射器件的漏極端子；
耦合到地的源極端子；和
柵極端子，被配置為從控制器接收觸發脈沖的脈沖序列。
8.根據權利要求1所述的系統，其中，第一場效應晶體管或第二場效應晶體管中的至少一個包括氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、或其組合。
9.根據權利要求1所述的系統，其中，第一場效應晶體管或第二場效應晶體管中的至少一個包括高電子遷移率晶體管(HEMT)。
10.根據權利要求1所述的系統，還包括與光發射器件并聯連接的返回二極管。
11.一種電路，包括：
串聯地耦合在供電電壓和地之間的光發射器件和第一場效應晶體管；
第二場效應晶體管，與光發射器件和第一場效應晶體管并聯耦合；和
控制器，被配置為向所述第一場效應晶體管的柵極端子提供觸發脈沖，
其中，所述光發射器件被配置為基于觸發脈沖發射具有脈沖寬度的激光光脈沖。
12.根據權利要求11所述的電路，其中，所述第二場效應晶體管被配置為提供對與光發射器件相關聯的寄生電感補償的電容。
13.根據權利要求11所述的電路，其中，所述控制器還被配置為向所述第一場效應晶體管的柵極端子提供觸發脈沖的脈沖序列。
14.根據權利要求13所述的電路，其中，所述光發射器件被配置為基于觸發脈沖的脈沖序列發射激光脈沖序列。
15.根據權利要求11所述的電路，其中，所述第二場效應晶體管被配置為作為固定或可變電容器進行操作。
16.根據權利要求11所述的電路，其中，所述第二場效應晶體管被配置為減少跨越光發射器件的電壓的振蕩。
17.根據權利要求11所述的電路，其中，所述第二場效應晶體管被配置為減少所述第一場效應晶體管的漏極端子與源極端子之間的負電壓。
18.根據權利要求11所述的電路，其中，所述第一場效應晶體管包括：
耦合到所述光發射器件的漏極端子；和
耦合到地的源極端子。
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