[發(fā)明專利]傳感器芯片、傳感器和電子設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110073305.5
• 申請日: 2021-01-19
• 公開（公告）號: CN112897452A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐香菊;鞏向輝;閆文明
• 申請（專利權(quán)）人: 濰坊歌爾微電子有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81B7/02;H01L23/31
• 代理公司: 深圳市世紀(jì)恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287
• 代理人: 梁馨怡

本發(fā)明公開一種傳感器芯片、傳感器和電子設(shè)備，其中，傳感器芯片包括：基板；集成電路，所述集成電路設(shè)于所述基板上，所述集成電路設(shè)有通孔；第一電極，所述第一電極設(shè)于所述基板，并位于所述通孔內(nèi)；第二電極，所述第二電極在所述通孔內(nèi)與所述第一電極相對設(shè)置形成電容結(jié)構(gòu)；以及防水膜層，所述防水膜層設(shè)置于所述集成電路背離所述基板的表面。本發(fā)明技術(shù)方案使傳感器芯片防水效果好的同時，簡化封裝工藝，降低成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及傳感設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種傳感器芯片、傳感器和電子設(shè)備。

背景技術(shù)

隨著電子設(shè)備技術(shù)的發(fā)展，消費(fèi)者往往會對電子設(shè)備的使用性能提出更高的要求。在電子設(shè)備的使用過程中，常常會由于水汽的進(jìn)入影響而對其內(nèi)部的電氣結(jié)構(gòu)造成損壞，特別是傳感器一旦由被水汽進(jìn)入后，會影響電子設(shè)備的靈敏度，大大降低消費(fèi)者的使用體驗(yàn)。

通常情況下，會對傳感器使用貼防水膜進(jìn)行密封，或，灌入灌封膠進(jìn)行防水密封。而防水貼膜的生產(chǎn)工藝較為復(fù)雜，成本較高；灌封膠在封裝時需要將外殼內(nèi)的傳感器完全浸沒，以使傳感器的表面與空氣隔絕，為了對傳感器上的振膜精度影響較小，灌封膠的材料選取以及灌封過程要求嚴(yán)格，使得操作過程復(fù)雜，且技術(shù)難度較大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的是提供一種傳感器芯片，旨在使傳感器芯片的防水效果好的同時，簡化封裝工藝，降低成本。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出的傳感器芯片，所述傳感器芯片包括：

基板；

集成電路，所述集成電路設(shè)于所述基板上，所述集成電路設(shè)有通孔；

第一電極，所述第一電極設(shè)于所述基板，并位于所述通孔內(nèi)；

第二電極，所述第二電極在所述通孔內(nèi)與所述第一電極相對設(shè)置形成電容結(jié)構(gòu)；以及

防水膜層，所述防水膜層設(shè)置于所述集成電路背離所述基板的表面，并且封堵所述通孔。

可選地，所述防水膜層通過化學(xué)氣相沉積方法沉積于所述集成電路的表面。

可選地，所述防水膜層為氮化硅。

可選地，所述防水膜的厚度為h，h≥3μm。

可選地，所述第二電極位于所述集成電路通孔的頂端罩蓋所述通孔，所述第二電極背離所述基板的表面與所述集成電路背離所述基板的表面齊平；或者，

所述第二電極與所述通孔的頂端之間具有間隙，所述防水膜層覆蓋在所述集成電路的表面并且向所述通孔內(nèi)延伸，充滿所述間隙。

可選地，還包括引線和焊盤，所述焊盤設(shè)于所述基板背離所述集成電路的表面，所述引線一端連接所述集成電路，另一端穿過所述基板，連接所述焊盤。

本發(fā)明還提出一種傳感器，所述傳感器包括外殼和傳感器芯片；

所述傳感器芯片包括：

基板；

集成電路，所述集成電路設(shè)于所述基板上，所述集成電路設(shè)有通孔；

第一電極，所述第一電極設(shè)于所述基板，并位于所述通孔內(nèi)；

第二電極，所述第二電極在所述通孔內(nèi)與所述第一電極相對設(shè)置形成電容結(jié)構(gòu)；以及

防水膜層，所述防水膜層設(shè)置于所述集成電路背離所述基板的表面，并且封堵所述通孔。

所述外殼圍合形成容納腔，所述傳感器芯片封裝于所述容納腔內(nèi)。

可選地，所述外殼包括相對設(shè)置的頂壁和底壁，所述頂壁設(shè)有貫通孔，所述底壁設(shè)有電連接部，所述傳感器的集成電路電性連接于所述電連接部。