[發明專利]一種語音識別方法及所基于的語音識別傳感器的制備方法

在審

• 申請號: 202110073298.9
• 申請日: 2021-01-20
• 公開（公告）號: CN112837685A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 陳向東;洪進;丁星;劉芳
• 申請（專利權）人: 西南交通大學;陳向東
• 主分類號: G10L15/22
• 分類號: G10L15/22;G01N27/00;C23C14/10
• 代理公司: 成都虹盛匯泉專利代理有限公司 51268
• 代理人: 王偉

1.一種語音識別方法，其特征在于，所基于的語音識別傳感器結構包括：硅基片、硅基片上方的二氧化硅層、二氧化硅層上表面的第一電極和第二電極、第一電極和第二電極之間的二氧化硅層上表面的聚二烯丙基二甲基氯化銨薄膜、聚二烯丙基二甲基氯化銨薄膜上的被聚二烯丙基二甲基氯化銨薄膜包裹的多個二氧化硅微球、以及聚二烯丙基二甲基氯化銨薄膜上表面上的氧化石墨烯量子點薄膜；

基于所述語音識別傳感器的語音識別方法，包括：

A1、將語音識別傳感器與定值電阻串聯；

A2、將語音識別傳感器置于口腔附近，感知不同單詞語音氣流的濕度變化信號；

A3、采集所述的定值電阻兩端的電壓信號作為所述的不同單詞語音氣流的濕度變化信號；

A4、基于不同單詞語音氣流的濕度變化信號的差異，利用語音識別算法，對不同單詞進行語音識別。

2.根據權利要求1所述的一種語音識別方法，其特征在于，所述第一電極與第二電極上表面還包括：聚二烯丙基二甲基氯化銨薄膜、聚二烯丙基二甲基氯化銨薄膜上的被聚二烯丙基二甲基氯化銨薄膜包裹的多個二氧化硅微球、以及聚二烯丙基二甲基氯化銨薄膜上表面上的氧化石墨烯量子點薄膜。

3.根據權利要求1所述的一種語音識別方法，其特征在于，所述第一電極與第二電極呈梳齒狀且交錯排列，即相鄰的第一電極之間設有第二電極，相鄰的第二電極之間設有第一電極。

4.根據權利要求3所述的一種語音識別方法，其特征在于，所述相鄰第一電極與第二電極之間的間距小于或等于20微米。

5.根據權利要求1所述的一種語音識別方法，其特征在于，所述氧化石墨烯量子點粒徑小于或等于20納米。

6.根據權利要求1所述的一種語音識別方法，其特征在于，所述二氧化硅微球粒徑為10～10000納米。

7.根據權利要求1所述的一種語音識別方法，其特征在于，步驟A2中語音識別傳感器置于口腔水平位置前端50cm范圍內。

8.根據權利要求1所述的一種語音識別方法，其特征在于，所述的定值電阻在1MΩ到1000MΩ之間。

9.一種權利要求1-8任意一項權利要求所述的語音識別傳感器的制備方法，其特征在于，包括：

S1、在濃度為0.1～10.0毫克/毫升的二氧化硅微球溶液加入濃度為0.1～10.0毫克/毫升的聚二烯丙基二甲基氯化銨溶液，超聲處理2～5小時，得到均勻的混合溶液，并使得二氧化硅微球表面附著包裹一層聚二烯丙基二甲基氯化銨薄膜；

S2、在硅基片表面沉積一層二氧化硅層，然后采用真空鍍膜法結合光刻工藝在二氧化硅層表面形成第一電極與第二電極，得到電極基片；

S3、將步驟S2得到的電極基片浸入步驟S1所述的混合溶液中浸泡10～20分鐘，使第一電極和第二電極之間的二氧化硅層表面附著一層聚二烯丙基二甲基氯化銨薄膜及多個表面附著包裹了聚二烯丙基二甲基氯化銨薄膜的二氧化硅微球；

S4、將步驟S3得到的電極基片在去離子水中刷洗1～5分鐘，去除未牢固附著在第一電極和第二電極之間的二氧化硅層表面的聚二烯丙基二甲基氯化銨和二氧化硅微球；

S5、將經步驟S4處理后的電極基片放置于不高于50℃的烘箱中靜置1～2小時，進行干燥處理；

S6、將經步驟S5處理后的電極基片浸入濃度為0.2～12.0毫克/毫升的氧化石墨烯量子點分散液中浸泡5～15分鐘，通過靜電力在二氧化硅層與二氧化硅微球表面的聚二烯丙基二甲基氯化銨薄膜的表面吸附一層氧化石墨烯量子點薄膜；

S7、將步驟S6得到的電極基片在去離子水中涮洗1～30分鐘，去除掉未牢固吸附到支撐層表面的氧化石墨烯量子點；

S8、將步驟S7得到的電極基片放置于不高于50℃的烘箱中靜置1～2小時，進行干燥處理。