[發(fā)明專利]麥克風(fēng)封裝工藝和麥克風(fēng)封裝結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110073228.3
• 申請日: 2021-01-19
• 公開（公告）號(hào): CN112830448A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賁鋒;孟凡亮;花飛
• 申請（專利權(quán)）人: 濰坊歌爾微電子有限公司
• 主分類號(hào): B81C1/00
• 分類號(hào): B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02;H04R31/00
• 代理公司: 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287
• 代理人: 梁馨怡

本發(fā)明公開一種麥克風(fēng)封裝工藝和麥克風(fēng)封裝結(jié)構(gòu)，所述麥克風(fēng)封裝工藝包括：在裝片膜上開孔，形成通孔；將所述裝片膜貼附于MEMS芯片，以使所述通孔與所述MEMS芯片的音孔對(duì)應(yīng)；將所述MEMS芯片貼裝于基板；將ASIC芯片貼裝于所述基板；將封裝殼體設(shè)于所述基板上，并與所述基板圍合形成容納腔，使所述ASIC芯片和所述MEMS芯片容納于所述容納腔內(nèi)。本發(fā)明旨在提供一種可方便監(jiān)控膠層，且有效避免溢膠的麥克風(fēng)封裝工藝，該麥克風(fēng)封裝工藝可有效提高麥克風(fēng)封裝結(jié)構(gòu)的聲學(xué)性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及麥克風(fēng)封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種麥克風(fēng)封裝工藝和應(yīng)用該麥克風(fēng)封裝工藝的麥克風(fēng)封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

相關(guān)技術(shù)中，麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)中MEMS芯片與PCB的結(jié)合過程通常是MEMS芯片切割---裝片站畫硅膠---MEMS芯片貼在硅膠面---硅膠粘接MEMES芯片和PCB---進(jìn)入烤箱烘烤。在此過程中，硅膠的厚度會(huì)影響MEMS芯片傾斜，對(duì)產(chǎn)品靈敏度變化影響較大，且需要控制硅膠的膠寬和膠內(nèi)寬，當(dāng)MEMS芯片貼裝后膠水在MEMS芯片下方，無法監(jiān)控，若出現(xiàn)溢膠過多流入聲孔會(huì)影響產(chǎn)品聲學(xué)性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的是提供一種麥克風(fēng)封裝工藝和麥克風(fēng)封裝結(jié)構(gòu)，旨在提供一種可方便監(jiān)控膠層，且有效避免溢膠的麥克風(fēng)封裝工藝，該麥克風(fēng)封裝工藝可有效提高麥克風(fēng)封裝結(jié)構(gòu)的聲學(xué)性能。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種麥克風(fēng)封裝工藝，所述麥克風(fēng)封裝工藝包括：

在裝片膜上開孔，形成通孔；

將所述裝片膜貼附于MEMS芯片，以使所述通孔與所述MEMS芯片的音孔對(duì)應(yīng)；

將所述MEMS芯片貼裝于基板；

將ASIC芯片貼裝于所述基板；

將封裝殼體設(shè)于所述基板上，并與所述基板圍合形成容納腔，使所述ASIC芯片和所述MEMS芯片容納于所述容納腔內(nèi)。

在一實(shí)施例中，所述裝片膜包括層疊設(shè)置的劃片膜和膠層，所述在裝片膜上開孔，形成通孔的步驟包括：

通過切割或激光方式在所述膠層開孔，使所述膠層形成有所述通孔。

在一實(shí)施例中，所述將所述裝片膜貼附于MEMS芯片，以使所述通孔與所述MEMS芯片的音孔對(duì)應(yīng)的步驟包括：

將MEMS晶圓貼附于所述膠層背向所述劃片膜一側(cè)，使所述通孔與所述音孔對(duì)應(yīng)；

通過劃片或切割方式將所述MEMS晶圓和所述膠層進(jìn)行切割，以形成所述MEMS芯片。

在一實(shí)施例中，所述將所述MEMS芯片貼裝于基板的步驟包括：

通過吸嘴吸附所述MEMS芯片，使所述膠層與所述劃片膜分離；

將所述MEMS芯片貼附有所述膠層的一側(cè)貼合于所述基板，以使所述膠層與所述基板粘結(jié)固定。

在一實(shí)施例中，所述將所述MEMS芯片貼附有所述膠層的一側(cè)貼合于所述基板，以使所述膠層與所述基板粘結(jié)固定的步驟之前，還包括：

將所述基板置于機(jī)體的軌道，控制所述機(jī)體對(duì)軌道進(jìn)行加熱，使所述軌道的溫度為80℃～150℃。

在一實(shí)施例中，所述裝片膜還包括層疊設(shè)于所述膠層背向所述劃片膜一側(cè)的保護(hù)膜，所述將所述裝片膜貼附于MEMS芯片的步驟之前，還包括：

去除所述保護(hù)膜。

在一實(shí)施例中，所述將ASIC芯片貼裝于所述基板的步驟之后，還包括：

通過引線鍵合工藝，將所述ASIC芯片與所述基板的電路形成互連通路。

在一實(shí)施例中，所述將封裝殼體設(shè)于所述基板上的步驟之前，還包括：