[發(fā)明專利]傳感器封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法和電子設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110073187.8 | 申請日: | 2021-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN112897451A | 公開(公告)日: | 2021-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 衛(wèi)海峰;孟凡亮;鹿煥偉 | 申請(專利權(quán))人: | 濰坊歌爾微電子有限公司 |
| 主分類號: | B81B7/00 | 分類號: | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;H01L23/552;H01L23/31;H01L21/56;H04R19/04 |
| 代理公司: | 深圳市世紀(jì)恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287 | 代理人: | 梁馨怡 |
| 地址: | 261000 山東省濰坊市濰坊高新區(qū)新*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 傳感器 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 制作方法 電子設(shè)備 | ||
1.一種傳感器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
罩蓋;
基板,所述基板與所述罩蓋圍合形成容置腔;
傳感器芯片,所述傳感器芯片設(shè)于所述容置腔內(nèi);
ASIC芯片,所述ASIC芯片設(shè)于所述容置腔內(nèi),并與所述基板和傳感器芯片均電連接;及
塑封層,所述塑封層覆蓋所述ASIC芯片的部分背離所述基板的表面。
2.如權(quán)利要求1所述的傳感器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述塑封層包覆所述ASIC芯片的部分背離所述基板的表面和所述ASIC芯片的部分周側(cè)面,且所述塑封層位于所述ASIC芯片遠(yuǎn)離所述傳感器芯片的一側(cè)。
3.如權(quán)利要求2所述的傳感器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述基板朝向所述罩蓋的表面開設(shè)有安裝槽,所述ASIC芯片設(shè)于所述安裝槽內(nèi),所述塑封層覆蓋所述ASIC芯片的部分背離所述基板的表面,并充滿所述ASIC芯片的部分周側(cè)面和與之對應(yīng)的所述安裝槽的側(cè)壁之間的空隙。
4.如權(quán)利要求3所述的傳感器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述塑封層還包覆所述安裝槽的部分開口外邊沿。
5.如權(quán)利要求3所述的傳感器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述塑封層在所述ASIC芯片背離所述基板的表面的投影面積為S1,所述ASIC芯片背離所述基板的表面面積為S2,其中,S1/S2的比值范圍為大于等于2/3小于等于3/4;和/或,
所述塑封層在所述ASIC芯片背離所述基板的表面的厚度范圍為75μm~100μm。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的傳感器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述傳感器芯片為MEMS芯片,所述基板開設(shè)有連通所述容置腔的聲孔,所述傳感器芯片覆蓋所述聲孔設(shè)置,所述ASIC芯片未被所述塑封層遮蓋的位置設(shè)有第一引腳,所述MEMS芯片通過第一金屬線與所述第一引腳電連接。
7.如權(quán)利要求6所述的傳感器封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述基板的表面設(shè)置有焊盤,所述ASIC芯片通過第二金屬線與所述焊盤電連接,所述塑封層包覆所述第二金屬線。
8.一種傳感器封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,所述傳感器封裝結(jié)構(gòu)的制作方法包括以下步驟:
提供基板、罩蓋、傳感器芯片及ASIC芯片;
將所述傳感器芯片和所述ASIC芯片間隔貼裝在所述基板的表面;
將所述ASIC芯片與所述基板電連接,并使用擋板遮蓋所述ASIC芯片靠近所述傳感器芯片的一側(cè);
使用塑封工藝對所述ASIC芯片進(jìn)行塑封,形成部分遮蓋所述ASIC芯片背離所述基板的表面的塑封層;
將所述擋板撤去,并將所述傳感器芯片電連接于所述ASIC芯片未被遮蓋的部分;
將罩蓋封裝在所述基板的表面,以圍合形成容置腔,所述傳感器芯片、所述ASIC芯片以及所述塑封層均位于所述容置腔內(nèi)。
9.如權(quán)利要求8所述的傳感器封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,所述基板的表面設(shè)置有焊盤,所述傳感器芯片的表面設(shè)置有焊接點(diǎn),所述ASIC芯片的表面設(shè)置有第一引腳和第二引腳;
所述將所述傳感器芯片和所述ASIC芯片間隔貼裝在所述基板的表面的步驟包括:
將所述傳感器芯片未設(shè)置焊接點(diǎn)的表面貼裝在所述基板設(shè)有所述焊盤的表面;
將所述ASIC芯片未設(shè)置所述第一引腳和第二引腳的表面貼裝在所述基板設(shè)有所述焊盤的表面;
所述將所述ASIC芯片與所述基板電連接,并使用擋板遮蓋所述ASIC芯片靠近所述傳感器芯片的一側(cè)的步驟中,包括:
將所述ASIC芯片的第二引腳通過第二金屬線與所述焊盤連接;
使用擋板遮蓋所述ASIC芯片的第二引腳及其周緣位置;
所述將所述擋板撤去,并將所述傳感器芯片電連接于所述ASIC芯片未被遮蓋的部分的步驟包括:
將所述ASIC芯片的第一引腳通過第一金屬線與所述焊接點(diǎn)連接。
10.一種電子設(shè)備,其特征在于,包括殼體和設(shè)于所述殼體內(nèi)的傳感器封裝結(jié)構(gòu),所述傳感器封裝結(jié)構(gòu)為如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的傳感器封裝結(jié)構(gòu)。
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