[發明專利]用于等離子體化學氣相的樣品支架

有效

• 申請號: 202110072158.X
• 申請日: 2021-01-19
• 公開（公告）號: CN112899659B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 周廣迪;金鵬;屈鵬霏;霍曉迪;王占國
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;C23C16/455;C23C16/50
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王文思

1.一種用于等離子體化學氣相的樣品支架，其特征在于，包括：

水冷銅臺(8)和導電電極(7)，所述水冷銅臺(8)中間開孔以容納所述導電電極(7)；

依次設置于所述水冷銅臺(8)的絕緣層(5)、第五導電支架(11)、第三導電支架(4)、第四導電支架(10)、第二導電支架(3)和第一導電支架(2)；

其中，所述絕緣層(5)隔開所述第五導電支架(11)與水冷銅臺(8)，所述第一導電支架(2)的第二端面中部開設有凹陷的第一圓形臺階，所述第一圓形臺階底面上設有第一多圈環形凸臺；

所述第二導電支架(3)的第一端面設有第二多圈環形凸臺，所述第二導電支架(3)的第二端面中部開設有凹陷的第二圓形臺階，所述第二圓形臺階底面上設有第三多圈環形凸臺；

所述第二導電支架(3)的第一端面邊緣開設有凹陷的第一環形臺階，所述第一環形臺階底面抵壓所述第一導電支架(2)的第二端面，所述第二多圈環形凸臺與第一多圈環形凸臺相互錯開并設有縫隙，使所述第二多圈環形凸臺與第一多圈環形凸臺之間留有第一氣流通路；

所述第四導電支架(10)的第一端面設有第四多圈環形凸臺，所述第四導電支架(10)的第二端面中部開設有凹陷的第三圓形臺階，所述第三圓形臺階底面上設有第五多圈環形凸臺；

所述第四導電支架(10)的第一端面邊緣開設有凹陷的第二環形臺階，所述第二環形臺階底面抵壓所述第二導電支架(3)的第二端面，所述第四多圈環形凸臺與第三多圈環形凸臺相互錯開并設有縫隙，使所述第四多圈環形凸臺與第三多圈環形凸臺之間留有第二氣流通路；

第三導電支架(4)的第一端面設有第六多圈環形凸臺，第三導電支架(4)的第一端面上與所述第四導電支架(10)的第二端面的對應位置處還開設有第一環形凹槽，所述第一環形凹槽底面抵壓所述第四導電支架(10)的第二端面，所述第六多圈環形凸臺與所述第五多圈環形凸臺相互錯開并設有縫隙，使所述第六多圈環形凸臺與所述第五多圈環形凸臺之間留有第三氣流通路；

所述第五導電支架(11)的第一端面卡接第三導電支架(4)的第二端面，所述第五導電支架(11)的第二端面中心設有具有中空結構的圓柱凸臺，所述導電電極(7)的第一端外側面旋合于所述中空結構中；

所述第一導電支架(2)中心開設有第一通孔，所述第一導電支架(2)還開設有多個第二通孔，所述第二導電支架(3)中心開設有第三通孔，所述第四導電支架(10)位于第二環形臺階的內側開設有多個第四通孔，所述第三導電支架(4)中部開設有多個第五通孔，其中，所述第一通孔、第一氣流通路、多個第二通孔、第二氣流通路、多個第四通孔、第三氣流通路、多個第五通孔與所述中空結構之間具有相互連通的氣流通路。

2.根據權利要求1所述的樣品支架，其特征在于，所述樣品支架還包括導電定位環(12)，所述第一導電支架(2)用于承載樣品(1)，所述導電定位環(12)設置于所述第一導電支架(2)上且位于所述樣品(1)外側，用于對所述樣品(1)進行限位；

所述導電定位環(12)還通過使用具有不同二次電子發射系數的材料來調控施加偏壓時的等離子體密度。

3.根據權利要求1所述的樣品支架，其特征在于，所述第一導電支架(2)的第一端面邊緣開設倒角，用于防止電場在邊緣處發生奇異現象；

所述多個第二通孔、多個第四通孔和多個第五通孔均圍繞第一通孔21周向均勻開設，所述第一多圈環形凸臺、第二多圈環形凸臺、第三多圈環形凸臺、第四多圈環形凸臺和第五多圈環形凸臺和第六多圈環形凸臺均與所述第一通孔位置同心且以連續間隔隔開。

4.根據權利要求1所述的樣品支架，其特征在于，所述樣品支架還包括銅環(9)和絕緣環(6)，所述銅環(9)和絕緣環(6)均設置于所述水冷銅臺(8)上，所述銅環(9)位于第三導電支架(4)外側，所述絕緣環(6)抵接所述第三導電支架(4)的外側面，用于隔開第三導電支架(4)與銅環(9)。