[發明專利]一種用于半導體器件鍍氧化膜的換氣裝置

在審

• 申請號: 202110071058.5
• 申請日: 2021-01-19
• 公開（公告）號: CN112815718A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 黃夢蕾
• 申請（專利權）人: 黃夢蕾
• 主分類號: F27D7/02
• 分類號: F27D7/02;H01L21/02
• 代理公司: 北京恒泰銘睿知識產權代理有限公司 11642
• 代理人: 王雨

本發明涉及半導體器件技術領域，且公開了一種用于半導體器件鍍氧化膜的換氣裝置，包括爐體，所述爐體的內部固定連接有置物層，所述置物層的外壁固定連接有電熱絲，所述置物層的頂部固定連接有導熱金屬，所述導熱金屬的左側固定連接有導熱氣囊，所述導熱氣囊的左側固定連接有接觸球，所述爐體的內部且靠近接觸球的外壁固定連接有接觸點一。該用于半導體器件鍍氧化膜的換氣裝置，通過氣壓氣囊帶動電介質板運動，使得正極板與負極板的相對接觸面積減小，使得電壓減小，從而使得通過壓敏電阻的電流低于其最大限值，電路通路帶動電熱絲加熱，從而達到了具有自動加熱的效果，減小了操作人員的操作流程，使得生產效率提高。

技術領域

本發明涉及半導體器件技術領域，具體為一種用于半導體器件鍍氧化膜的換氣裝置。

背景技術

在半導體基片生產工藝中，需要往半導體基片中添加電活性雜質，是形成元件活性區域的工序，熱擴散法是一般的方法，它是在高溫爐內將氣體分解擴散，使目的元素摻雜到基片中去，但是在傳統的高溫爐中沒有專門的換氣裝置，使得氧化過后的氣體都由爐門的打開而擴散到爐外。

傳統的氧化高溫爐沒有專門的氣體收集裝置，氧化過后的氣體沒辦法在爐內回收，切都是一次性的，使得反應氧氣產生浪費，高溫爐在降溫后再重新注入氣體再繼續重復的高溫氧化過程，，非常的費時費力，降低生產效率，提高了操作人員的工作強度，提高了生產成本。

因此，我們提出了一種用于半導體器件鍍氧化膜的換氣裝置來解決以上問題。

發明內容

(一)解決的技術問題

針對現有技術的不足，本發明提供了一種用于半導體器件鍍氧化膜的換氣裝置，具備啟動后自動進氣加熱等工序，增加自動集氣功能的優點，解決了需要重復加氣，沒有集氣裝置的問題。

(二)技術方案

為實現上述啟動后自動進氣加熱等工序，增加自動集氣功能的目的，本發明提供如下技術方案：一種用于半導體器件鍍氧化膜的換氣裝置，包括爐體，所述爐體的內部固定連接有置物層，所述置物層的外壁固定連接有電熱絲，所述置物層的頂部固定連接有導熱金屬，所述導熱金屬的左側固定連接有導熱氣囊，所述導熱氣囊的左側固定連接有接觸球，所述爐體的內部且靠近接觸球的外壁固定連接有接觸點一，所述爐體的內部且靠近接觸點一的左側固定連接有接觸點二，所述爐體的內部且靠近置物層的右側設置有存氣室，所述存氣室的內部固定連接有進氣風扇，所述存氣室的外壁且靠近置物層的內部固定連接有進氣單向閥，所述進氣單向閥的頂部固定連接有電磁鐵一，所述爐體的內部且靠近置物層的左側設置有集氣室，所述集氣室的內部固定連接有集氣風扇，所述集氣室的外壁且靠近置物層的內部固定連接有集氣單向閥，所述集氣單向閥的頂部固定連接有電磁鐵二，所述置物層的底部固定連接有氣壓氣囊，所述氣壓氣囊的底部固定連接有電介質板，爐體的內部且靠近電介質板的底部固定連接有壓敏電阻，所述爐體的內部且靠近電介質板的左側固定連接有正極板，所述爐體的內部且靠近電介質板的左側固定連接有負極板。

優選的，所述置物層的內部設置有方格塊，方格塊在置物層的內部均勻分布，能夠均勻的放置且有序的放置半導體器件。

優選的，所述電熱絲的數量為四個，且在置物層的四角均勻分布，能夠均勻的給置物層內部的半導體器件加熱。

優選的，所述導熱金屬的材質為銅棒，銅棒的導熱率為瓦/米·度，能夠有效的導熱，使得導熱氣囊能夠有效的膨脹。

優選的，所述存氣室放置有大量反應氧氣，通過反應氧氣能夠通過加熱附著在半導體器件表面。

優選的，所述進氣風扇的外側固定連接有伺服電機，所述集氣風扇的外側固定連接有伺服電機，通過伺服電機通電帶動進氣風扇與集氣風扇轉動。

優選的，所述進氣單向閥與集氣單向閥的內部均活動連接有鐵球，通過鐵球的運動能夠達到阻擋氣體的流動。