[發(fā)明專利]一種鋁硅合金濺射靶材及其制備方法與應(yīng)用

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110070732.8
• 申請(qǐng)日: 2021-01-19
• 公開（公告）號(hào): CN112899624A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姚力軍;邊逸軍;潘杰;王學(xué)澤;鄒浪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/34
• 分類號(hào): C23C14/34;B22F3/02;B22F3/15;B22F3/24;B22F5/00;C22C21/02
• 代理公司: 北京遠(yuǎn)智匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11659
• 代理人: 王巖

1.一種鋁硅合金濺射靶材的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

(1)裝填并夯實(shí)鋁硅合金粉末，得到第一生坯；

(2)將步驟(1)所得第一生坯進(jìn)行真空脫氣處理，得到第二生坯；

(3)將步驟(2)所得第二生坯在400-520℃下進(jìn)行熱等靜壓處理，得到鋁硅坯料；

(4)將步驟(3)所得鋁硅坯料進(jìn)行機(jī)加工，得到鋁硅合金濺射靶材。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述鋁硅合金粉末中鋁的比例為47.5-52.5wt％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述鋁硅合金粉末的平均粒徑為1-75μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述真空脫氣處理的絕對(duì)真空度為1×10^-5-3Pa；

優(yōu)選地，步驟(2)所述真空脫氣處理的脫氣溫度為200-400℃；

優(yōu)選地，步驟(2)所述真空脫氣處理的脫氣時(shí)間為4-8h。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述熱等靜壓處理的施加壓力為90-300MPa；

優(yōu)選地，步驟(3)所述熱等靜壓處理的時(shí)間為3-6h。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，步驟(4)所述機(jī)加工包括依次進(jìn)行的拋光與切割。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，步驟(4)所述鋁硅合金濺射靶材后續(xù)還依次經(jīng)過檢測、清洗、干燥與包裝。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

(1)裝填并夯實(shí)平均粒徑為1-75μm的鋁硅合金粉末，得到第一生坯；所述鋁硅合金粉末中鋁的比例為47.5-52.5wt％；

(2)將步驟(1)所得第一生坯在絕對(duì)真空度為1×10^-5-3Pa，脫氣溫度為200-400℃下進(jìn)行4-8h的真空脫氣處理，得到第二生坯；

(3)將步驟(2)所得第二生坯在施加壓力為90-300MPa，燒結(jié)溫度為400-520℃下進(jìn)行3-6h的熱等靜壓處理，得到鋁硅坯料；

(4)將步驟(3)所得鋁硅坯料依次進(jìn)行拋光與切割，并依次經(jīng)過檢測、清洗、干燥與包裝，得到鋁硅合金濺射靶材。

9.一種如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的制備方法制備得到的鋁硅合金濺射靶材，其特征在于，所述鋁硅合金濺射靶材的致密度≥99％。

10.一種如權(quán)利要求9所述的鋁硅合金濺射靶材在真空濺射鍍膜方面的應(yīng)用。