[發(fā)明專利]掩膜版、其圖形修正方法、存儲(chǔ)介質(zhì)及器件制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110070645.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-01-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112731756A | 公開(公告)日: | 2021-04-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳維維;謝翔宇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 福建省晉華集成電路有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F1/36 | 分類號(hào): | G03F1/36 |
| 代理公司: | 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372 | 代理人: | 吳大建;陳敏 |
| 地址: | 362200 福建省泉州*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩膜版 圖形 修正 方法 存儲(chǔ) 介質(zhì) 器件 制備 | ||
1.一種掩膜版,其特征在于,包括至少一個(gè)沿第一預(yù)設(shè)方向的傾斜階梯狀圖案;
其中,所述傾斜階梯狀圖案包括分別位于所述傾斜階梯狀圖案沿所述第一預(yù)設(shè)方向的兩側(cè)的第一階梯狀輪廓和第二階梯狀輪廓;
所述第一階梯狀輪廓包括多個(gè)第一直角拐點(diǎn),所述第二階梯狀輪廓包括多個(gè)第二直角拐點(diǎn);
所述傾斜階梯狀圖案中,所述第一直角拐點(diǎn)和所述第二直角拐點(diǎn)交錯(cuò)設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述傾斜階梯狀圖案中,任意兩個(gè)偶數(shù)位或任意兩個(gè)奇數(shù)位的所述第一直角拐點(diǎn)之間的連線的延伸方向與所述第一預(yù)設(shè)方向相同;
所述傾斜階梯狀圖案中,任意兩個(gè)偶數(shù)位或任意兩個(gè)奇數(shù)位的所述第二直角拐點(diǎn)之間的連線的延伸方向與所述第一預(yù)設(shè)方向相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述第一階梯狀輪廓的各個(gè)臺(tái)階高度相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩膜版,其特征在于,所述第二階梯狀輪廓的各個(gè)臺(tái)階高度相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜版,其特征在于,所述第一階梯狀輪廓的臺(tái)階高度與所述第二階梯狀輪廓的臺(tái)階高度相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述掩膜版中,所述傾斜階梯狀圖案的數(shù)量為多個(gè),且各個(gè)所述傾斜階梯狀圖案彼此間隔且平行;
相鄰兩個(gè)所述傾斜階梯狀圖案的所述第一階梯狀輪廓對(duì)齊設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述掩膜版中,所述傾斜階梯狀圖案的數(shù)量為多個(gè),且各個(gè)所述傾斜階梯狀圖案彼此間隔且平行;
相鄰兩個(gè)所述傾斜階梯狀圖案的所述第一階梯狀輪廓交錯(cuò)設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩膜版,其特征在于,各個(gè)所述傾斜階梯狀圖案的所述第一階梯狀輪廓沿第二預(yù)設(shè)方向依次交錯(cuò)設(shè)置,且相鄰兩個(gè)所述傾斜階梯狀圖案的所述第一階梯狀輪廓沿所述第二預(yù)設(shè)方向的交錯(cuò)距離相同。
9.一種掩膜版的圖形修正方法,其特征在于,包括:
提供目標(biāo)圖案;其中,所述目標(biāo)圖案包括至少一個(gè)沿第一預(yù)設(shè)方向的傾斜圖案,每個(gè)所述傾斜圖案包括分別位于所述傾斜圖案沿所述第一預(yù)設(shè)方向的兩側(cè)的第一輪廓和第二輪廓;
在所述第一輪廓上設(shè)置多個(gè)間隔設(shè)置的第一采樣點(diǎn),在所述第二輪廓上設(shè)置多個(gè)間隔設(shè)置的第二采樣點(diǎn);
根據(jù)所述第一采樣點(diǎn),在所述第一輪廓上設(shè)置多個(gè)第一參考矩形,并根據(jù)所述第二采樣點(diǎn),在所述第二輪廓上設(shè)置多個(gè)第二參考矩形;其中,所述第一參考矩形以相鄰兩個(gè)所述第一采樣點(diǎn)為對(duì)角點(diǎn),所述第二參考矩形以相鄰兩個(gè)所述第二采樣點(diǎn)為對(duì)角點(diǎn);
將所述第一參考矩形沿第二預(yù)設(shè)方向向所述傾斜圖案的中心軸移動(dòng)第一預(yù)設(shè)距離,得到第三參考矩形;
將所述第二參考矩形沿第三預(yù)設(shè)方向向所述傾斜圖案的中心軸移動(dòng)第二預(yù)設(shè)距離,得到第四參考矩形;其中,所述第二預(yù)設(shè)方向與所述第三預(yù)設(shè)方向相反;
在所述第三參考矩形和所述第四參考矩形內(nèi)填充圖案,以分別形成第一矩形圖案和第二矩形圖案,以對(duì)所述傾斜圖案進(jìn)行修正,得到傾斜階梯狀圖案;其中,所述傾斜階梯狀圖案包括所述第一矩形圖案和第二矩形圖案,以及位于所述第一矩形圖案和所述第二矩形圖案之間的傾斜圖案部分;所述傾斜階梯狀圖案中,所述第一矩形圖案和所述第二矩形圖案交錯(cuò)設(shè)置。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,還包括:
去除所述傾斜圖案兩側(cè)邊緣未被所述第一矩形圖案和所述第二矩形圖案覆蓋的傾斜圖案部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,所述傾斜圖案中,所述第一采樣點(diǎn)和所述第二采樣點(diǎn)以所述傾斜圖案的中心軸為對(duì)稱軸對(duì)稱設(shè)置。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,所述第一參考矩形的長(zhǎng)邊或短邊平行于所述第二預(yù)設(shè)方向。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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