[發明專利]一種硫氰酸銨插層二硫化鉬微米花材料及其制備方法和應用有效
| 申請號： | 202110070613.2 | 申請日： | 2021-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN112661188B | 公開（公告）日： | 2022-09-30 |
| 發明（設計）人： | 鄭學軍;王經緯;何文遠;陳隆源;王銀民 | 申請（專利權）人： | 湘潭大學 |
| 主分類號： | C01G39/06 | 分類號： | C01G39/06;C01C3/20;H01G11/24;H01G11/86 |
| 代理公司： | 長沙市融智專利事務所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 張偉;魏娟 |
| 地址： | 411105 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氰酸 銨插層 二硫化鉬 微米 材料 及其 制備 方法 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種硫氰酸銨插層二硫化鉬微米花材料的制備方法，其特征在于：將鉬酸銨及硫脲在水介質中進行水熱反應，即得；
鉬酸銨與硫脲的比例以鉬酸銨中的鉬原子與硫脲中的硫原子摩爾比為1:（5~10）計量；
所述鉬酸銨在水介質中的濃度為0.1~0.5mol/L；
所述水熱反應的條件為：溫度為210~230 ℃，時間為23~25h。
2.權利要求1所述的制備方法得到的一種硫氰酸銨插層二硫化鉬微米花材料，其特征在于：具有層狀微米花結構；所述層狀微米花結構由硫氰酸銨插層二硫化鉬納米片組裝構成。
3.根據權利要求2所述的一種硫氰酸銨插層二硫化鉬微米花材料，其特征在于：所述層狀微米花結構中硫氰酸銨插層二硫化鉬納米片之間的層間距為9.3~9.5 ?。
4.根據權利要求2所述的一種硫氰酸銨插層二硫化鉬微米花材料，其特征在于：所述層狀微米花結構的直徑為0.1~5微米。
5.權利要求2~4任一項所述的硫氰酸銨插層二硫化鉬微米花材料的應用，其特征在于：作為雙電層超級電容器電極材料應用。
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