[發(fā)明專利]一種實現(xiàn)輻射制冷的二氧化硅熱超材料及其應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110070272.9 | 申請日： | 2021-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN112833582B | 公開（公告）日： | 2022-05-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 范春珍;殷懷遠(yuǎn) | 申請（專利權(quán)）人： | 鄭州大學(xué) |
| 主分類號： | F25B23/00 | 分類號： | F25B23/00 |
| 代理公司： | 鄭州豫開專利代理事務(wù)所(普通合伙) 41131 | 代理人： | 張智偉 |
| 地址： | 450001 河南省鄭州*** | 國省代碼： | 河南;41 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 實現(xiàn) 輻射 制冷 二氧化硅 材料 及其 應(yīng)用 | ||
1.一種實現(xiàn)輻射制冷的二氧化硅熱超材料，其特征在于：所述二氧化硅熱超材料由反射層及位于其上的吸收層組成，所述吸收層由基底層和圖案層組成；所述反射層由從上到下交替排列的二氧化鈦層和氟化鎂層組成；所述基底層由從上到下依次排列的二氧化硅層、氮化硅層和二氧化鈦層組成，所述圖案層由在二氧化硅層上表面上呈周期性排布的二氧化硅結(jié)構(gòu)單元組成，二氧化硅層的上表面記為x-y平面，二氧化硅結(jié)構(gòu)單元在二氧化硅層上表面上沿x軸、y軸的排列周期分別記為Px、Py，Px=Py=8±0.1 μm；
所述二氧化硅結(jié)構(gòu)單元包括兩個大小相等的二氧化硅等腰直角三棱柱，這兩個二氧化硅等腰直角三棱柱關(guān)于二氧化硅結(jié)構(gòu)單元的幾何中心對稱，并且兩個二氧化硅等腰直角三棱柱的上/下底面直角所在頂點、二氧化硅結(jié)構(gòu)單元的幾何中心在二氧化硅層上表面上的正投影點在同一條直線上；二氧化硅等腰直角三棱柱的上/下底面等腰直角三角形的高d1=3±0.1 μm，兩個二氧化硅等腰直角三棱柱之間的距離d2=1±0.1 μm，二氧化硅等腰直角三棱柱的高t1=3±0.1 μm；
基底層中，二氧化硅層厚t2=7±0.1 μm，氮化硅層厚t3=6±0.1 μm，二氧化鈦層厚t4=6±0.1μm；以每層的厚度計，所述反射層從上到下由二氧化鈦層70±0.1 nm、氟化鎂層100±0.1 nm、二氧化鈦層120±0.1 nm、氟化鎂層110±0.1 nm、二氧化鈦層100±0.1 nm、氟化鎂層72±0.1 nm、二氧化鈦層53±0.1 nm、氟化鎂層100±0.1 nm、二氧化鈦層75±0.1 nm組成。
2.如權(quán)利要求1所述的實現(xiàn)輻射制冷的二氧化硅熱超材料在建筑材料、被動制冷器件上的應(yīng)用。
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