[發明專利]一種晶圓級計量標準器及其制備方法

在審

• 申請號: 202110069987.2
• 申請日: 2021-01-19
• 公開（公告）號: CN112881960A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 饒張飛;秦凱亮;金紅霞
• 申請（專利權）人: 西安微電子技術研究所
• 主分類號: G01R35/00
• 分類號: G01R35/00;G01B21/00;G03F7/20
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 崔方方

1.一種晶圓級計量標準器，其特征在于，包括晶圓，晶圓上設有多晶硅薄膜；

多晶硅薄膜上設有圖形區域(2)，圖形區域(2)外圍設有一級引導標記(3)；

圖形區域(2)包括二維柵格標準圖形區域(4)和位于其外圍的二級引導標記(5)；

二維柵格標準圖形區域(4)內設有一個或多個標準圖形。

2.根據權利要求1所述的晶圓級計量標準器，其特征在于，圖形區域(2)為一個或多個。

3.根據權利要求1所述的晶圓級計量標準器，其特征在于，一級引導標記(3)為線條狀或方塊狀。

4.根據權利要求1所述的晶圓級計量標準器，其特征在于，所述標準圖形包括網格型二維柵格結構標準圖形、橫縱二維柵格結構標準圖形和梳型二維柵格結構標準圖形。

5.根據權利要求4所述的晶圓級計量標準器，其特征在于，所述梳型二維柵格的橫向、縱向分別由尺寸相等的線條及柵格組成。

6.一種晶圓級計量標準器的制備方法，其特征在于，包括：

在裸硅晶圓表面制備多晶硅薄膜；

利用i線光刻工藝及刻蝕工藝在所述多晶硅薄膜上刻蝕一級引導標記(3)；

在刻蝕有一級引導標記(3)的晶圓表面使用掩膜版通過DUV光刻工藝將二級引導標記(5)和標準圖形顯露出；

光刻完成后采用反應離子刻蝕法進行刻蝕二級引導標記(5)和標準圖形。

7.根據權利要求6所述的晶圓級計量標準器的制備方法，其特征在于，采用低壓化學氣相淀積制備多晶硅薄膜。

8.根據權利要求6所述的晶圓級計量標準器的制備方法，其特征在于，刻蝕一級引導標記(3)的具體操作為：

在多晶硅薄膜進行光刻工藝，即依次進行涂膠、曝光和顯影，將一級引導標記(3)顯露出；

光刻完成后采用反應離子刻蝕法進行刻蝕一級引導標記(3)。

9.根據權利要求8所述的晶圓級計量標準器的制備方法，其特征在于，一級引導標記(3)的光刻過程采用AZ4620光刻膠，光刻膠的厚度為20um；

涂膠完成后調節光刻機擋板位置形成十字形，進行一次曝光；

之后將晶圓旋轉45°，進行二次曝光。

10.根據權利要求6所述的晶圓級計量標準器的制備方法，其特征在于，二級引導標記(5)和標準圖形的光刻過程采用AZ4620正性光刻膠，光刻膠的厚度為20um。