[發明專利]顯示基板、顯示裝置及掩膜版在審
| 申請號: | 202110069920.9 | 申請日: | 2021-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN112885976A | 公開(公告)日: | 2021-06-01 |
| 發明(設計)人: | 景姝 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32;C23C14/04;C23C14/08;C23C14/12;C23C16/04;C23C16/40 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 劉源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 顯示裝置 掩膜版 | ||
1.一種顯示基板,其中,包括:
襯底基板,所述襯底基板包括多個子像素區,所述子像素區包括開口區和非開口區;
多個發光器件,位于所述襯底基板之上;所述發光器件包括層疊設置的第一電極、發光層和第二電極;其中,每個所述發光器件的所述第一電極和所述發光層對應設置在一個所述開口區,全部所述發光器件的所述第二電極構成一體化的面狀電極;
第一取光層,位于所述發光層與所述第二電極之間;所述第一取光層設置于至少部分所述非開口區內;所述第一取光層的折射率大于所述第二電極的折射率;
第二取光層,位于所述第二電極背離所述第一取光層的一側;所述第二取光層在所述襯底基板上的正投影完全覆蓋所述第一取光層在所述襯底基板上的正投影,且所述第二取光層的折射率大于所述第二電極的折射率。
2.如權利要求1所述的顯示基板,其中,所述第二取光層整面設置在所述第二電極之上。
3.如權利要求1所述的顯示基板,其中,所述第一取光層的折射率和所述第二取光層的折射率分別為1.8-2.5,所述第二電極的折射率為1.4-1.6。
4.如權利要求1所述的顯示基板,其中,在垂直于所述襯底基板的方向上,所述第一取光層的厚度、所述第二取光層的厚度分別大于所述第二電極的厚度。
5.如權利要求4所述的顯示基板,其中,所述第一取光層的厚度與所述第二取光層的厚度相等。
6.如權利要求5所述的顯示基板,其中,所述第一取光層的厚度與所述第二取光層的厚度為12nm-60nm,所述第二電極的厚度為10nm-14nm。
7.如權利要求1所述的顯示基板,其中,所述多個子像素區包括第一子像素區、第二子像素區和第三子像素區;其中,
所述第一子像素區、所述第二子像素區和所述第三子像素區分別具有一個所述開口區;所述第一子像素區、所述第二子像素區和所述第三子像素區為正六邊形;
所述第一子像素區、所述第二子像素區和所述第三子像素區構成重復單元,在行方向上循環排列;
奇數行的各所述子像素區在列方向上對齊排列,偶數行的各所述子像素區在列方向上對齊排列,且奇數行的各所述子像素區與偶數行的各所述子像素區沿行方向錯開半個所述子像素區的距離;
所述第一取光層設置于相鄰兩行的三個所述子像素區中搭接的所述非開口區。
8.如權利要求7所述的顯示基板,其中,三個所述子像素區包括:相鄰兩行所述子像素區中,前一行的相鄰兩個所述子像素區和后一行的一個所述子像素區。
9.如權利要求7所述的顯示基板,其中,三個所述子像素區包括:相鄰兩行所述子像素區中,前一行的相鄰兩個所述子像素區和后一行的一個所述子像素區;以及相鄰兩行所述子像素區中,后一行的相鄰兩個所述子像素區和前一行的一個所述子像素區;
所述第一取光層包括第一部分和第二部分;其中,所述第一部分設置于前一行相鄰兩個所述子像素區、及后一行一個所述子像素區;所述第二部分設置于后一行相鄰兩個所述子像素區、及前一行一個所述子像素區。
10.如權利要求1所述的顯示基板,其中,所述多個子像素區包括第一子像素區、第二子像素區和第三子像素區;其中,
所述第一子像素區、所述第二子像素區和所述第三子像素區分別具有一個所述開口區;所述第一子像素區和所述第二子像素區分別為正方形,所述第三子像素區為長方形;
所述第一子像素區和所述第二子像素區在列方向上交替設置,所述第三子像素區所在列與所述第一子像素區、所述第二子像素區所在列在行方向上交替設置,且一個所述第三子像素區與一列中的兩個所述第一子像素區、及兩個所述第二子像素區接觸設置;
所述第一取光層設置于每兩列所述第三子像素區所含所述開口區之間在行方向上的所述非開口區。
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