[發(fā)明專利]一種反應(yīng)堆單晶硅輻照控制系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110069471.8
• 申請日: 2021-01-19
• 公開（公告）號: CN112885493B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔣波;王云波;江易蔚;劉榮;李加剛;李子彥;陳夢雪;武文超;杜雙;李自強(qiáng);李普;唐錫定;羅欣;李林洪;徐兵
• 申請（專利權(quán)）人: 中國核動力研究設(shè)計院
• 主分類號: G21C17/10
• 分類號: G21C17/10;G21C17/108
• 代理公司: 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51220
• 代理人: 李朝虎

1.一種反應(yīng)堆單晶硅輻照控制系統(tǒng)，其特征在于，包括輻照裝置、傳感裝置、控制裝置；

所述輻照裝置包括：豎直設(shè)置的反應(yīng)堆堆芯輻照孔道(16)、待輻照的單晶硅；

傳感裝置包括：沿反應(yīng)堆堆芯輻照孔道(16)的i個高度設(shè)置了對應(yīng)的i個中子探測器；i大于或等于2；

i個高度包括：沿反應(yīng)堆堆芯輻照孔道(16)豎直方向從下往上依次設(shè)置的第1高度、第2高度、…、第N高度、第N+1高度、…、第i高度，第1高度、第2高度、…、第N高度、第N+1高度、…、第i高度對應(yīng)的瞬時中子注量率依次變小；

控制裝置包括：主控計算機(jī)(10)、單晶硅位置控制裝置；

主控計算機(jī)(10)：

在單晶硅位于第N高度時、用“位于第N高度的第N中子探測器的瞬時中子注量率ZLL_N”進(jìn)行積分、得到“單晶硅位于第N高度時的輻照積分總通量ZTL_j，N”；

根據(jù)“單晶硅位于第N高度時的輻照積分總通量ZTL_j，N”、…、“單晶硅位于第N-1高度時的輻照積分總通量ZTL_j，N-1”、…、“單晶硅位于第1高度時的輻照積分總通量ZTL_j，1”求和、得到“單晶硅已獲輻照總中子通量Z_N”；

若“單晶硅已獲輻照總中子通量Z_N”達(dá)到“第N閾值”時，輸出由第N高度移動到第N+1高度的“第N提位位移指令”；

主控計算機(jī)(10)：預(yù)存有“致使中子輻照嬗變摻雜摻雜濃度達(dá)到目標(biāo)值時、單晶硅所需輻照總中子通量閾值”，預(yù)存有至少1個提位閾值，所有提位閾值均小于“致使中子輻照嬗變摻雜摻雜濃度達(dá)到目標(biāo)值時、單晶硅所需輻照總中子通量閾值”；“第N閾值”為提位閾值中的一個；

單晶硅位置控制裝置：用于根據(jù)每次提位位移指令控制單晶硅逐級提升高度、直到單晶硅移出反應(yīng)堆堆芯輻照孔道(16)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種反應(yīng)堆單晶硅輻照控制系統(tǒng)，其特征在于，

主控計算機(jī)(10)：

在單晶硅位于照前高度時、主控計算機(jī)(10)向單晶硅位置控制裝置發(fā)出“初始高度位移指令”；

單晶硅位置控制裝置根據(jù)“初始高度位移指令”、控制單晶硅從反應(yīng)堆堆芯輻照孔道(16)外的照前高度移動到反應(yīng)堆堆芯輻照孔道(16)內(nèi)的初始高度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種反應(yīng)堆單晶硅輻照控制系統(tǒng)，其特征在于，

初始高度對應(yīng)于第1高度。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種反應(yīng)堆單晶硅輻照控制系統(tǒng)，其特征在于，

初始高度：為反應(yīng)堆堆芯輻照孔道(16)內(nèi)“中子注量均勻分布度最佳段”所在高度；

初始高度由主控計算機(jī)(10)生成：

每個高度上設(shè)置有J個沿反應(yīng)堆堆芯輻照孔道(16)內(nèi)壁設(shè)置的中子探測器；

主控計算機(jī)(10)根據(jù)每個高度的J個中子探測器而獲得的J個瞬時中子注量率、擬合出每個高度所對應(yīng)的中子注量均勻分布度；主控計算機(jī)(10)選出中子注量均勻分布度最佳的一段作為“中子注量均勻分布度最佳段”，主控計算機(jī)(10)根據(jù)“中子注量均勻分布度最佳段”對應(yīng)的高度作為初始高度，“初始高度位移指令”的內(nèi)容包含初始高度。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種反應(yīng)堆單晶硅輻照控制系統(tǒng)，其特征在于，

初始高度：為反應(yīng)堆堆芯輻照孔道(16)內(nèi)“中子注量均勻分布度最佳段”所在高度；

初始高度由主控計算機(jī)(10)生成；

主控計算機(jī)(10)根據(jù)每個高度的中子探測器獲得的瞬時中子注量率、擬合出整個反應(yīng)堆堆芯輻照孔道(16)的中子注量分布；主控計算機(jī)(10)從中子注量分布中標(biāo)記均勻度最佳的一段作為“中子注量均勻分布度最佳段”，主控計算機(jī)(10)根據(jù)“中子注量均勻分布度最佳段”對應(yīng)的高度作為初始高度，“初始高度位移指令”的內(nèi)容包含初始高度。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種反應(yīng)堆單晶硅輻照控制系統(tǒng)，其特征在于，

主控計算機(jī)(10)輸出的指令包括：依時間先后次序的“初始高度位移指令”、“第1提位位移指令”、…、“第N提位位移指令”、“第N+1提位位移指令”、…“第i提位位移指令”。