[發(fā)明專利]化學(xué)氣相沉積工藝及膜層的形成方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110069418.8 | 申請日： | 2021-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN114000124A | 公開（公告）日： | 2022-02-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳佩瑜;洪婉毓 | 申請（專利權(quán)）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/44 | 分類號： | C23C16/44;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋興;黃健 |
| 地址： | 中國臺灣臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 化學(xué) 沉積 工藝 形成 方法 | ||
1.一種化學(xué)氣相沉積工藝，其特征在于，包括：
執(zhí)行第一階段沉積工藝，在第一溫度維持第一時間段；以及
執(zhí)行第二階段沉積工藝，包括：
升溫步驟，在第二時間段內(nèi)從所述第一溫度升溫至第二溫度；以及
降溫步驟，在第三時間段內(nèi)從所述第二溫度下降至第三溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積工藝，其中所述第二時間段是所述第一時間段、所述第二時間段與所述第三時間段的總和的5％至40％；所述第三時間段是所述第一時間段、所述第二時間段與所述第三時間段的總和的5％至70％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積工藝，其中所述升溫步驟的升溫速率為大于或等于所述降溫步驟的降溫速率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積工藝，其中所述第二溫度比所述第一溫度高攝氏20度至50度，所述第二溫度比所述第三溫度高攝氏20度至50度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積工藝，其中所述第一溫度與所述第三溫度的差為攝氏0度至50度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積工藝，還包括：
在執(zhí)行所述第一階段沉積工藝之前執(zhí)行初始階段，其中所述初始階段包括恒溫步驟，所述恒溫步驟的溫度與所述第一溫度的溫度差為攝氏0度至300度；以及
在所述第二階段沉積工藝之后執(zhí)行除氣階段，其中，所述除氣階段的溫度等于所述第三溫度。
7.一種化學(xué)氣相沉積工藝，包括多個循環(huán)工藝，其特征在于，每一循環(huán)工藝包括：
執(zhí)行第一階段沉積工藝，在第一溫度維持第一時間段；以及
執(zhí)行第二階段沉積工藝，包括：
升溫步驟，在第二時間段內(nèi)從所述第一溫度升溫至第二溫度；以及
降溫步驟，在第三時間段內(nèi)從所述第二溫度下降至所述第一溫度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的化學(xué)氣相沉積工藝，其中所述多個循環(huán)工藝包括1至50個循環(huán)工藝。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的化學(xué)氣相沉積工藝，其中每一循環(huán)的所述第二時間段是每個循環(huán)的所述第一時間段、所述第二時間段以及所述第三時間段的總和的5％至40％；所述第三時間段是所述第一時間段、所述第二時間段與所述第三時間段的總和的5％至70％。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的化學(xué)氣相沉積工藝，其中執(zhí)行每個所述循環(huán)工藝的所述第二時間段與所述第三時間段的和是所述第一時間段、所述第二時間段、所述第三時間段的總和的30％至50％。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的化學(xué)氣相沉積工藝，其中每個所述循環(huán)工藝的所述第二溫度相同，且每個所述循環(huán)工藝的所述第一溫度相同。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的化學(xué)氣相沉積工藝，其中所述第二溫度比所述第一溫度高攝氏20度至50度。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的化學(xué)氣相沉積工藝，其中所述升溫步驟的升溫速率為大于或等于所述降溫步驟的降溫速率。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的化學(xué)氣相沉積工藝，還包括：
在執(zhí)行第一循環(huán)工藝的所述第一階段沉積工藝之前執(zhí)行初始階段，其中所述初始階段包括恒溫步驟，所述恒溫步驟的溫度與所述第一溫度的溫度差為攝氏0度至300度；以及
在執(zhí)行最后一個循環(huán)工藝的所述第二階段沉積工藝之后執(zhí)行除氣階段，其中，所述除氣階段的溫度等于所述第一溫度。
15.一種膜層的形成方法，包括：
以上述權(quán)利要求1至14任一項所述的化學(xué)氣相沉積工藝在襯底上沉積膜層，其中，
在執(zhí)行第一階段沉積工藝時，形成的第一材料層在所述襯底的邊緣區(qū)域的厚度大于所述襯底的中心區(qū)域的厚度，
在執(zhí)行第二階段沉積工藝時，形成的第二材料層在所述襯底的邊緣區(qū)域的厚度小于所述襯底的中心區(qū)域的厚度。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆，例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
