[發明專利]制程設備及制程方法

有效

• 申請號: 202110068749.X
• 申請日: 2021-01-19
• 公開（公告）號: CN112885745B
• 公開（公告）日: 2022-04-26
• 發明（設計）人: 馬克
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/768
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種制程設備，其特征在于，包括：

反應室，用于對置于所述反應室中的晶圓進行表面處理工藝，所述表面處理工藝用于去除晶圓表面的污染層；

承載臺，位于所述反應室內，用于承載晶圓或載板；

所述反應室上具有第一進氣通道和第二進氣通道；

所述第一進氣通道用于向所述反應室內通入反應氣體，所述反應氣體用于執行所述表面處理工藝；

在兩次所述表面處理工藝之間，所述第二進氣通道用于向所述反應室內通入清洗氣體，所述清洗氣體用于清洗所述反應室；

所述清洗氣體包括還原性氣體和第一吹掃氣體，所述第二進氣通道包括：

第一進氣子通道，用于向所述反應室內通入所述還原性氣體；

第二進氣子通道，用于向所述反應室內通入所述第一吹掃氣體；

所述第二進氣通道用于向所述反應室內通入清洗氣體，具體包括：

所述第一進氣子通道向所述反應室內通入所述還原性氣體，所述第一進氣通道向所述反應室內通入所述反應氣體，所述第二進氣子通道向所述反應室內通入所述第一吹掃氣體。

2.根據權利要求1所述的制程設備，其特征在于，還包括：

控制模塊，存儲有第一預設時間、第二預設時間和第三預設時間；

所述控制模塊用于執行：

開啟所述第一進氣子通道，向所述反應室內通入所述第一預設時間的所述還原性氣體；

關閉所述第一進氣子通道并開啟所述第一進氣通道，向所述反應室內通入所述第二預設時間的所述反應氣體；

關閉所述第一進氣通道并開啟所述第二進氣子通道，向所述反應室內通入所述第三預設時間的所述第一吹掃氣體。

3.根據權利要求1所述的制程設備，其特征在于，包括：連接所述第一進氣通道的第一氣體供應模塊，所述第一氣體供應模塊的開啟時間為10～15s，通入所述反應氣體的流量為4～6sccm/s。

4.根據權利要求1所述的制程設備，其特征在于，包括：連接所述第一進氣子通道的第二氣體供應模塊，所述第二氣體供應模塊的開啟時間為25～40s，通入所述還原性氣體的流量為6～10sccm/s。

5.根據權利要求1所述的制程設備，其特征在于，包括：連接所述第二進氣子通道的第三氣體供應模塊，所述第三氣體供應模塊的開啟時間為6～10s，通入所述第一吹掃氣體的流量為6～10sccm/s。

6.根據權利要求1所述的制程設備，其特征在于，所述反應室上還具有第三進氣通道，完成所述表面處理工藝后從所述反應室取出晶圓的過程中，所述第三進氣通道用于采用第二吹掃氣體吹掃所述晶圓的表面。

7.根據權利要求6所述的制程設備，其特征在于，所述第三進氣通道設置在所述反應室的出入閥門上，且所述第三進氣通道的出風口與所述反應室的腔壁的夾角為5～35°。

8.根據權利要求6所述的制程設備，其特征在于，包括：連接所述第三進氣通道的第四氣體供應模塊，所述第四氣體供應模塊的開啟時間為4～6s，通入所述第二吹掃氣體的流量為3～6sccm/s。

9.一種制程方法，應用于權利要求1～8任一項所述的制程設備，其特征在于，包括：

在所述制程設備執行兩次表面處理工藝之間，將載板放入所述制程設備的承載臺上；

控制第二進氣通道向所述反應室內通入清洗氣體且控制第一進氣通道向所述反應室內通入反應氣體，所述清洗氣體用于清洗所述反應室；

取出所述承載臺上的所述載板，完成對所述反應室的清洗；

所述控制第二進氣通道向所述反應室內通入清洗氣體且控制第一進氣通道向所述反應室內通入反應氣體，包括：

控制第一進氣子通道向所述反應室中通入第一預設時間的還原性氣體；

控制第一進氣通道向所述反應室中通入第二預設時間的反應氣體；

控制第二進氣子通道向所述反應室中通入第三預設時間的第一吹掃氣體。