[發(fā)明專利]一種透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110068191.5
• 申請(qǐng)日: 2021-01-19
• 公開（公告）號(hào): CN112908517B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 虞旺;劉克永
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 大正（江蘇）微納科技有限公司
• 主分類號(hào): H01B5/14
• 分類號(hào): H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 北京柏杉松知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11413
• 代理人: 劉繼富;王春偉

1.一種透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，所述方法包括：

在透明基材表面制備第一導(dǎo)電層：

在透明基材的表面沉積一層導(dǎo)電氧化物，然后退火處理得到所述第一導(dǎo)電層，其中，退火溫度為120～170℃，退火時(shí)間為20～40min；

在第一導(dǎo)電層的表面制備第二導(dǎo)電層：

將導(dǎo)電材料涂覆、沉積或者打印在所述第一導(dǎo)電層的表面，形成含有圖案的所述第二導(dǎo)電層；

在第二導(dǎo)電層表面制備第三導(dǎo)電層：

在所述第二導(dǎo)電層的表面沉積一層導(dǎo)電氧化物，形成所述第三導(dǎo)電層，無需再對(duì)第三導(dǎo)電層退火。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中，所述第一導(dǎo)電層和所述第三導(dǎo)電層的成膜方法包括：磁控濺射法、化學(xué)氣相沉積法、等離子體化學(xué)氣相沉積法、反應(yīng)等離子體沉積或者原子層沉積法。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中，所述第二導(dǎo)電層的制備過程為：

通過狹縫涂布模具將納米金屬線漿料涂覆于所述第一導(dǎo)電層的表面，經(jīng)固化后形成第二導(dǎo)電層；其中，固化溫度為100～140℃，固化時(shí)間為8～15min，所述納米金屬線漿料的濃度為5～10mg/ml，所述納米金屬線的長(zhǎng)度為10～25μm，直徑為20～40nm，所述納米金屬線選自納米銀線或納米金線；

或者，將含有導(dǎo)電材料的墨水打印于所述第一導(dǎo)電層的表面，經(jīng)干燥后形成導(dǎo)電材料線條；其中，所述墨水的固含量為10％～20％，所述導(dǎo)電材料線條的線寬為1～100μm；

或者，通過磁控濺射法在所述第一導(dǎo)電層的表面濺射一層金屬膜，后經(jīng)化學(xué)刻蝕后得到金屬線條；其中，所述金屬線條的線寬為10～100μm。

4.一種根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的方法制備的透明導(dǎo)電薄膜，其由下至上依次包括透明基材、第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層，其中，所述第一導(dǎo)電層和所述第三導(dǎo)電層中各自獨(dú)立地含有導(dǎo)電氧化物，所述第二導(dǎo)電層中含有金屬或碳材料，所述第一導(dǎo)電層的厚度為25～100nm，所述第二導(dǎo)電層的厚度為50～150nm，所述第三導(dǎo)電層的厚度為5～50nm；所述透明導(dǎo)電薄膜的透光率為85％～90％，霧度為0.9％～1.2％，方阻為0.1～8Ω/sq。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的透明導(dǎo)電薄膜，其中，所述第一導(dǎo)電層和所述第三導(dǎo)電層中的導(dǎo)電氧化物各自獨(dú)立地選自FTO、ITO、IWO、AZO、氧化鋅和二氧化錫中的任一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的透明導(dǎo)電薄膜，其中，所述金屬選自鋁、銀、銅、納米金或納米銀中的任一種，所述碳材料選自石墨烯。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的透明導(dǎo)電薄膜，其中，所述透明基材選自玻璃、PET、PEN和PI中的任一種，所述玻璃透明基材的厚度為0.3～5mm；所述PET、PEN或PI透明基材的厚度為0.025～0.3mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的透明導(dǎo)電薄膜，其中，所述第二導(dǎo)電層為含有連續(xù)線條狀圖案的導(dǎo)電層或含有連續(xù)網(wǎng)格狀圖案的導(dǎo)電層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的透明導(dǎo)電薄膜，其中，所述第二導(dǎo)電層中，線條狀的導(dǎo)電材料的面積占所述透明導(dǎo)電薄膜平面的表面積的0.01％～5％。