[發明專利]半導體管芯的前側或背側互連的附加制造

在審

• 申請號: 202110067783.5
• 申請日: 2021-01-19
• 公開（公告）號: CN113140504A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: E·菲爾古特;I·埃舍爾-珀佩爾;M·格魯貝爾;I·尼基廷;H-J·舒爾策
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/498;H01L23/538
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊

1.一種用于制造半導體管芯封裝的方法(100)，所述方法包括：

-(110)提供半導體晶體管管芯，所述半導體晶體管管芯包括在第一下主面上的第一接觸焊盤和在上主面上的第二接觸焊盤；

-(120)向所述第二接觸焊盤上制造前側電導體，并且還向所述第一接觸焊盤上制造背側電導體；以及

-(130)施加覆蓋所述半導體管芯、以及所述前側電導體的至少一部分的包封體，其中

-所述前側電導體和/或所述背側電導體是通過金屬結構的激光輔助結構化來制造的。

2.根據權利要求1所述的方法(100)，其中，

制造所述前側電導體和/或所述背側電導體包括：

i.向所述第二接觸焊盤和/或所述第一接觸焊盤上沉積金屬材料，以及

ii.用激光束照射所述金屬材料的至少一部分。

3.根據權利要求2所述的方法(100)，還包括：

通過將另一金屬材料施加到所制造的金屬結構上并且用所述激光束照射所述另一金屬材料的至少一部分來重復步驟i.和ii.。

4.根據權利要求2或3所述的方法(100)，其中，

所述金屬材料是以金屬粉末或金屬球或塊的形式沉積的。

5.根據前述權利要求中的任一項所述的方法(100)，其中，

在制造所述電導體之前，沒有層、特別是沒有焊料層被沉積到所述第二接觸焊盤和/或所述第一接觸焊盤上。

6.根據前述權利要求中的任一項所述的方法(100)，其中，

所述半導體管芯是寬帶隙半導體管芯、SiC管芯或GaN管芯中的一個或多個。

7.根據前述權利要求中的任一項所述的方法(100)，其中，

所述半導體晶體管管芯是功率半導體晶體管管芯或晶閘管管芯，所述功率半導體晶體管管芯特別是功率IGBT管芯或功率MOSFET管芯。

8.根據前述權利要求中的任一項所述的方法(100)，還包括：

施加所述包封體，使得所述金屬結構的上表面至少部分地不被所述包封體覆蓋。

9.根據前述權利要求中的任一項所述的方法(100)，其中，

所述半導體晶體管管芯包括在所述上主面上的一個或多個另外的接觸焊盤，其中，所述方法還包括：還通過金屬結構的激光輔助結構化在一個或多個所述另外的接觸焊盤上制造電導體。

10.根據前述權利要求中的任一項所述的方法(100)，還包括：

在制造所述金屬結構之前，將阻擋層或包括兩個或更多個阻擋層的阻擋層堆疊體設置到所述第二接觸焊盤和/或所述第一接觸焊盤上。

11.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，還包括：

提供管芯載體并將所述半導體管芯設置到所述管芯載體上。

12.一種半導體管芯封裝(10；30)，包括：

-半導體晶體管管芯(12；32)，所述半導體晶體管管芯(12；32)包括在第一下主面上的第一接觸焊盤(12.1)和/或在上主面上的第二接觸焊盤(12.2)；

-電導體(13；33.1)，所述電導體(13；33.1)設置在所述第二接觸焊盤(12.2)上并且是通過金屬材料的激光輔助結構化來制造的；以及

-覆蓋所述半導體管芯(12；32)、以及所述電導體(13；33.1)的至少一部分的包封體(14)。

13.根據權利要求12所述的半導體管芯封裝(10；30)，還包括：

管芯載體(11；31)，其中，所述半導體管芯(12；32)設置在所述管芯載體(11；31)上。